[发明专利]场发射显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610062830.2 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101155444A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/02 | 分类号： | H05B33/02;H05B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种场发射显示装置，其包括一第一基板、一与该第一基板相对设置的第二基板、一设置在该第一基板与第二基板相对的表面的金属层、一设置在该第二基板与第一基板相对的表面的电极层和一设置在该电极层上的荧光粉层，该金属层与该电极层之间保持一定间距，其特征在于：一多晶硅层设置在该金属层上，该多晶硅层表面具有多个尖端，该尖端朝向该荧光粉层。
2.如权利要求1所述的场发射显示装置，其特征在于：该多晶硅层及该尖端是通过准分子镭射使非晶硅结晶而形成。
3.如权利要求1所述的场发射显示装置，其特征在于：该金属层表面与该电极层表面的距离介于0.2～1.0mm之间。
4.一种场发射显示装置之制造方法，其特征在于：其包括以下步骤：
提供一第一基板；
形成一金属层在该第一基板上；
形成一非晶硅层在该金属层上；
对该非晶硅层进行处理以形成多晶硅层及该多晶硅层表面的多个尖端；
提供一第二基板；
形成一电极层在该第二基板上；
形成一荧光粉层在该电极层上，该多个尖端朝向该荧光粉层；
结合该第一、第二基板。
5.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该多晶硅层及该尖端是通过准分子镭射使非晶硅结晶而形成。
6.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该金属层是用物理气相沈积法沉积，沉积厚度为50～500nm。
7.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该非晶硅层是用化学气相沈积法沉积，所采用的气体源为SiH4+H2+PH3，沉积温度为100～500℃，沉积厚度为30～200nm。
8.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该电极层是用物理气相沈积法沉积，沉积厚度为20～100nm。
9.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该金属层表面与该电极层表面的距离介于0.2～1.0mm之间。
10.如权利要求4所述的场发射显示装置的制造方法，其特征在于：该荧光粉层的荧光粉可以选择以下几种材料之一：红色荧光粉，Y2O3:Eu、Y2O2S:Eu；绿色荧光粉，SrGa2S4:Eu、Y2SiO5:Tb、ZnS:(Cu，Al)；蓝色荧光粉，Y2SiO5:Ce、ZnS:Ag。
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