[发明专利]识别电源适配器的控制电路与方法

权利要求书

1.一种识别电源适配器的控制电路，包括一适配器端和一系统端，该适配器端包括将高电压降为低电压的一降压电路和将交流电转换为直流电的一整流电路，其特征在于：该适配器端具有正极输出端与负极输出端，该正极输出端上连接有一分压电路，该系统端包括一开关电路，该正极输出端与开关电路连接，该分压电路设有一控制输出端，该控制输出端与开关电路连接以控制该开关电路的开启与关闭。

2.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：该分压电路由第一电阻和第二电阻串联形成，所述控制输出端是连接在第一电阻与第二电阻之间。

3.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和一电阻。

4.如权利要求3所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：所述的两个晶体管为金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管，该N沟道场效应管的源极接地，该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接，该电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间。

5.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和两电阻。

6.如权利要求5所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：所述的两个金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管，该N沟道场效应管的源极接地，该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接，其中一电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间，另一电阻连接在P沟道场效应管的栅极与N沟道场效应管的漏极之间。

7.如权利要求1所述的识别电源适配器的控制电路，其特征在于：所述开关电路包括一P沟道增强型MOS场效应管，其源极连接在正极输出端，栅极连接在控制输出端。

8.一种识别电源适配器的方法，包括如下步骤：

通过一转换电路将输入至电源适配器的高压交流电转换成低压直流电，并将该低压直流电接入至一开关电路中；

将该低压直流电分压以形成一控制电压；

将该控制电压输入至上述开关电路，以控制该开关电路的开启与关闭。

9.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述分压的步骤是通过由第一电阻和第二电阻串联而形成的分压电路完成，该控制电压是上述两电阻中其中一电阻两端的电压。

10.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和一电阻。

11.如权利要求10所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述的两个晶体管为金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管，该N沟道场效应管的源极接地，该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接，该电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间。

12.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述开关电路包括两个金属-氧化物-半导体场效应管和两电阻。

13.如权利要求12所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述的两个金属-氧化物-半导体场效应管分别为源极连接在正极输出端的一P沟道增强型场效应管和栅极连接在控制输出端的一N沟道增强型场效应管，该N沟道场效应管的源极接地，该N沟道场效应管的漏极与该P沟道场效应管的栅极连接，其中一电阻连接在正极输出端与P沟道场效应管的栅极之间，另一电阻连接在P沟道场效应管的栅极与N沟道场效应管的漏极之间。

14.如权利要求8所述的识别电源适配器的方法，其特征在于：所述开关电路包括一P沟道增强型MOS场效应管，其源极连接在正极输出端，栅极连接在控制输出端。