[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其包括一绝缘基板，一位于该绝缘基板上的栅极，一覆盖于该绝缘基板和该栅极的栅极绝缘层，一位于该栅极绝缘层上的非晶硅层，一位于该非晶硅层上的重掺杂非晶硅层和一位于该重掺杂非晶硅层和该栅极绝缘层上的金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管进一步包括一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层位于该栅极绝缘层和该非晶硅层之间。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该轻掺杂非晶硅层厚度小于60nm。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该轻掺杂非晶硅层的掺杂杂质为磷离子或砷离子。

4.一种薄膜晶体管，其包括一绝缘基板，一位于该绝缘基板上的栅极，一覆盖于该绝缘基板和该栅极的栅极绝缘层，一位于该栅极绝缘层上的第一非晶硅层，一位于该第一非晶硅层上的第二非晶硅层，一位于该第二非晶硅层上的重掺杂非晶硅层和一位于该重掺杂非晶硅层和该栅极绝缘层上的金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管进一步包括一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层位于该第一非晶硅层和该第二非晶硅层之间。

5.如权利要求4述的薄膜晶体管，其特征在于：该第一非晶硅层的厚度小于60nm。

6.一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤：在绝缘基板上形成一栅极；在栅极和绝缘基板上沉积一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一非晶硅层；在非晶硅层上形成一重掺杂非晶硅层；在重掺杂非晶硅层上形成一金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管制造方法进一步形成一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层位于该栅极绝缘层和该非晶硅层之间。

7.如权利要求6述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于：形成该轻掺杂非晶硅层所采用的方法为化学气相沉积法和气相掺杂法。

8.一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤：在绝缘基板上形成一栅极；在栅极和绝缘基板上沉积一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一第一非晶硅层；在第一非晶硅层上形成一第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成一重掺杂非晶硅层；在重掺杂非晶硅层上形成一金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管制造方法进一步形成一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层位于该第一非晶硅层和该第二非晶硅层之间。

9.一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤：在绝缘基板上形成一栅极；在栅极和绝缘基板上沉积一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一非晶硅层；在非晶硅层上形成一重掺杂非晶硅层；在重掺杂非晶硅层上形成一金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管制造方法进一步形成一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层是由在栅极绝缘层上实施等离子处理形成一磷离子杂质层，磷离子向非晶硅层部分扩散而形成。

10.一种薄膜晶体管制造方法，其包括以下步骤：在绝缘基板上形成一栅极；在栅极和绝缘基板上沉积一栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成一第一非晶硅层；在第一非晶硅层上形成一第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成一重掺杂非晶硅层；在重掺杂非晶硅层上形成一金属电极层；其特征在于：该薄膜晶体管制造方法进一步形成一轻掺杂非晶硅层，该轻掺杂非晶硅层是由在第一非晶硅层上实施等离子处理形成一磷离子杂质层，磷离子向第一非晶硅层和第二非晶硅层部分扩散而形成。