[发明专利]多层基板间交互连结的结构及其制造方法

权利要求书

1.一种多层基板间交互连结的结构包括一第一多层基板以及一第二多层基板，该第一多层基板具有若干个相互交叠的第一金属层与若干个第一介电层，该第二多层基板具有若干个相互交叠的第二金属层与若干个第二介电层，其特征在于：

该第一多层基板进一步具有若干个介层洞，其中至少一第一金属层的端缘与其对应的第一介电层的端缘相连接，而与其它相邻第一金属层和第一介电层的端缘相对分离；该第二多层基板的至少一第二金属层的端缘与其对应的第二介电层的端缘相连接，而与其它相邻第二金属层和第二介电层的端缘相对分离；该第一多层基板的介层洞位于第一介电层的端缘，并且每一介层洞内具有一导电部；通过该第一多层基板的至少一第一金属层的该导电部与该第二多层基板的至少一第二金属层相互黏结以形成一连结部。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于该第一多层基板的介电层的分离端缘以外的其它区域，进行了一界面附着强化处理，以增加这些介电层间的附着强度。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于该界面附着强化处理为一电浆制程处理。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于这些介电层的材料为聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于这些介电层的材料为聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的结构，其特征在于该第二多层基板的介电层的分离端缘以外的其它区域，进行了一界面附着强化的处理，以增加这些介电层间的附着强度。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于该附着处理为一电浆制程处理。

8.如权利要求7所述的结构，其特征在于这些介电层的材料为聚酰亚胺。

9.如权利要求6所述的结构，其特征在于这些介电层的材料为聚酰亚胺。

10.如权利要求1所述的结构，其特征在于进一步包括一第一芯片元件，位于该第一多层基板的第一外层面。

11.如权利要求10所述的结构，其特征在于该第一芯片元件为逻辑元件、内存元件、模拟元件、光电元件、微机电元件以及发光元件之中的任一元件。

12.如权利要求10所述的结构，其特征在于该第一芯片元件与该第一外层面间进行了一界面附着强化的处理，以增加该第一芯片元件与该第一外层面间的附着强度。

13.如权利要求10所述的结构，其特征在于进一步包括一第三基板，用以对该第一芯片元件进行连结封装。

14.如权利要求1所述的结构，其特征在于进一步包括一第二芯片元件，位于该第二多层基板的第一外层面。

15.如权利要求14所述的结构，其特征在于该第二芯片元件为逻辑元件、内存元件、模拟元件、光电元件、微机电元件以及发光元件之中的任一元件。

16.如权利要求14所述的结构，其特征在于该第二芯片元件与该第一外层面间进行了一界面附着强化的处理，以增加该第二芯片元件与该第一外层面间的附着强度。

17.如权利要求14所述的结构，其特征在于进一步包括一第三基板，用以对该第二芯片元件进行连结封装。

18.如权利要求1所述的结构，其特征在于进一步包括一第三基板，用以对该第一多层基板或该第二多层基板进行连结封装。

19.如权利要求18所述的结构，其特征在于该第三基板为一软性基板。

20.如权利要求1所述的结构，其特征在于该第一多层基板为一软性基板。

21.如权利要求1所述的结构，其特征在于该第二多层基板为一软性基板。

22.一种制造若干个多层基板间交互连结结构的方法，可适用于两个芯片元件以上的连接，这些多层基板具有若干个相互交叠的金属层与若干个介电层，其特征在于：该制造方法包括下列步骤：

使每一多层基板上至少一介电层及与其对应的金属层的端缘从其它相邻介电层局部及其对应金属层的端缘分离；以及

将其中一多层基板的该至少一介电层的分离端缘上的一介层洞内的一导电部黏结于另一多层基板的具分离端缘的金属层，以完成这些多层基板间交互连结的结构。