[发明专利]大幅面激光标刻太阳能电池有效
申请号: | 200610063759.X | 申请日: | 2006-12-31 |
公开(公告)号: | CN101211993A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 李毅;李全相 | 申请(专利权)人: | 李毅 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 | 代理人: | 张艺影;李奕晖 |
地址: | 518029广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大幅面 激光 太阳能电池 | ||
1.一种大幅面激光标刻太阳能电池的方法,由电脑控制激光发生器和载物工作台,包括工作电源,冷却系统,其特征还包括电脑程序控制,幅面为400mm-600mm激光振镜扫描系统;X-Y轴丝杆及伺服电机系统,将待刻基片按程序分别以X、Y轴向等分n×m相邻的(400mm×600mm)×(400mm×600mm)标刻区域;由激光振镜扫描系统,依次对各标刻区域导入的图形标刻,各标刻区域图形衔接,形成基片总体,当n=m等于1时(n和m是自然数),X-Y轴工作台停止工作。
2.根据权利要求1所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征是所说激光振镜扫描系统装在固定架Z轴悬臂上,由电脑控制X~Y丝杆及伺服电机系统,待刻基片沿X或Y丝杆轴向移动一个标刻区域的宽度,激光振镜扫描系统启动,在标刻区域内标刻;直至标刻完成n×m等份标刻区域。
3.根据权利要求1或2所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征在于所说激光振镜扫描系统,标刻范围设定为500mm×500mm,所说基片幅面为1000mm×2000mmm,将基片放置在X-Y轴丝杆交联平台上,启动激光振镜扫描系统,可多幅面标刻,其中n=4,m=2,为8等份标刻区域。
4.根据权利要求3所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征是所说待标刻的基片是非晶硅薄膜太阳能电池,标刻区域内基片透明导电膜面朝上,启动激光振镜大幅面红外光激光标刻系统,导入前电极图形,进行标刻,得到前电极相邻图形间绝缘隔离线宽度为0.1~0.4mm,绝缘电阻大于2MΩ。
5.根据权利要求3所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征是所说待刻基片是非晶硅薄膜太阳能电池,在标刻区域内,基片膜面朝下,导入电池非晶硅标刻图形,启动激光振镜大幅面红外光激光标刻系统,标刻非晶硅除去薄膜层,非晶硅图形和前电极图形隔离线边缘间距为0.1~0.3mm。
6.根据权利要求3所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征是所说待刻基片是非晶硅薄膜太阳能电池,在标刻区域内,基片铝层膜面朝下,启动激光振镜大幅面绿激光标刻系统,标刻铝背电极图形。
7.根据权利要求3所述的大幅面激光标刻太阳能电池的方法,其特征是所说待刻的基片是非晶硅薄膜太阳能电池,将已制作好可焊电极的基片膜面朝上放置到标刻区域内,启动激光振镜大幅面红外光激光标刻系统,导入非晶硅薄膜太阳能电池视窗标刻图形,标刻非晶硅层,制作出透明视窗。
8.一种大幅面激光标刻的太阳能电池,包括电脑控制激光扫描工作系统、激光发生器,载物工作平台,工作电源,冷却系统,其特征在于电脑控制幅面为400mm-600mm的激光振镜扫描系统;激光振镜扫描系统装在固定架Z轴悬臂上,程序控制
X、Y轴丝杆及伺服电机系统,将待刻的基片分别以X、Y轴向等分成n×m相邻的(400mm×600mm)×(400mm×600mm)标刻区域;
激光振镜扫描系统依次对各区域进行标刻,各相邻标刻区域图形的交界处衔接形成基片总体,当n=m等于1时,X、Y轴丝杆停止工作,n和m是自然数。
9.根据权利要求8所述的大幅面激光标刻的太阳能电池,其特征是所说的待刻的基片是非晶硅薄膜太阳能电池,激光振镜扫描系统的标刻范围设定为500mm×500mm,基片幅面1000mm×2000mmm,n=4,m=2,标刻区域为8等分,基片在X-Y轴交联平台上多幅面标刻;
前电极图形:在标刻区域内基片的ITO/ZnO或SnO2透明导电膜面朝上,导入前电极标刻图形,启动大幅面红外光激光标刻系统,前电极相邻图形间绝缘隔离线宽度为0.1~0.4mm,绝缘电阻大于2MΩ;
非晶硅图形:在标刻区域内基片非晶硅膜面朝下,导入前电极标刻图形,启动大幅面红外光激光标刻系统,非晶硅图形和前电极图形隔离线边缘间距为0.1~0.3mm;
铝背电极图形:在标刻区域内基片铝层膜面朝下,导入铝背电极图形,启动大幅面绿激光标刻系统,刻除铝膜,铝背电极图形和非晶硅图形隔离线边缘间距为0.1~0.3mm。
10.根据权利要求8所述的大幅面激光标刻的太阳能电池,其特征是所说的待刻基片是非晶硅薄膜太阳能电池,激光振镜扫描系统的标刻范围设定为360mm×410mm,基片幅面355.6mm×406.4mm,n=1,m=1,基片在或Y轴平台上单幅面标刻;
前电极图形:基片透明导膜面朝上,导入电池前电极标刻图形,启动大幅面红外光激光标刻系统,刻除透明导电膜,前电极相邻图形间绝缘隔离线宽度为0.1~0.4mm,绝缘电阻大于2MΩ;
非晶硅图形:非晶硅层基片膜面朝下,导入电池非晶硅标刻图形,启动大幅面绿激光标刻系统,非晶硅图形和前电极图形隔离线边缘间距为0.1~0.3mm;
透明视窗制作:可焊电极的基片膜面朝上,导入电池透明视窗标刻图形,启动大幅面红外光激光标刻系统,激光波长1064nm,功率30-50瓦,声光频率15-35KHz。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的