[发明专利]钛氧基酞菁晶体、电子照相感光体和电子照相成像装置

权利要求书

1、一种钛氧基酞菁晶体，其在可见光-红外吸收光谱中在780nm±10nm波长处具有主吸收峰且在700nm±10nm波长处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。

2、如权利要求1的钛氧基酞菁晶体，其中该钛氧基酞菁晶体在800nm或更高波长处不具有吸收峰。

3、如权利要求1的钛氧基酞菁晶体，其中钛氧基酞菁晶体在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(±0.2°)布拉格角(2θ)处具有明显峰。

4、一种钛氧基酞菁晶体的制备方法，该钛氧基酞菁晶体在可见光-红外吸收光谱中在780nm±10nm波长处具有主吸收峰且在700nm±10nm波长处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰，所述方法包含对在可见光-红外吸收光谱中在800nm波长处具有吸收峰的钛氧基酞菁原料晶体和醇溶剂进行捏合。

5、如权利要求4的方法，其中在捏合步骤中进一步引入粘结树脂。

6、如权利要求4的方法，其中钛氧基酞菁原料晶体为酸浆处理的无定形型钛氧基酞菁或Y型(γ型)钛氧基酞菁。

7、如权利要求5的方法，其中醇溶剂的量为钛氧基酞菁原料晶体重量的1-100倍，粘结树脂的量为钛氧基酞菁原料晶体重量的0.1-100倍。

8、如权利要求4的方法，其中钛氧基酞菁晶体在800nm或更高波长处不具有吸收峰。

9、一种电子照相感光体，包含导电基底和在导电基底上形成的感光层，其中感光层包含在可见光-红外吸收光谱中在780nm±10nm波长处具有主吸收峰且在700nm±10nm波长处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰的钛氧基酞菁晶体。

10、如权利要求9的电子照相感光体，其中感光层为包含电荷产生功能和电荷传输功能两者的单层型感光层。

11、如权利要求9的电子照相感光体，其中感光层为包含电荷产生层和电荷传输层的层压型，并且钛氧基酞菁晶体包含在该电荷产生层中。

12、如权利要求9的电子照相感光体，其中钛氧基酞菁晶体在800nm或更高波长处不具有吸收峰。

13、如权利要求9的电子照相感光体，其中钛氧基酞菁晶体在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(所有都包括±0.2°的误差)布拉格角(2θ)处具有明显峰。

14、如权利要求9的电子照相感光体，其中钛氧基酞菁晶体是通过用醇溶剂对在可见光-红外吸收光谱中在800nm波长处具有吸收峰的钛氧基酞菁晶体进行捏合而获得的。

15、一种电子照相成像装置，包括：

电子照相感光体，包含导电基底和导电基底上形成的感光层，其中感光层包含在可见光-红外吸收光谱中在780nm±10nm波长处具有主吸收峰且在700nm±10nm波长处具有强度为主吸收峰3/4或更低的次吸收峰的钛氧基酞菁晶体；

充电装置，用于对电子照相感光体进行充电；

成影像式光线辐射装置，用于将把成影像式光线辐射到经过充电的电子照相感光体，从而在电子照相感光体上形成静电潜像；

显影单元，用于借助调色剂来显影静电潜像，从而在电子照相感光体上形成调色剂图像；

转印单元，用于将调色剂图像转印到图像受体上。

16、如权利要求15的电子照相成像装置，其中感光层为包含电荷产生功能和电荷传输功能两者的单层型感光层。

17、如权利要求15的电子照相成像装置，其中感光层为包含电荷产生层和电荷传输层的层压型，并且钛氧基酞菁晶体包含在电荷产生层中。

18、如权利要求15的电子照相成像装置，其中钛氧基酞菁晶体在800nm或更高波长处不具有吸收峰。

19、如权利要求15的电子照相成像装置，其中钛氧基酞菁晶体在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(所有都包括±0.2°的误差)布拉格角(2θ)处具有明显峰。