[发明专利]半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构无效
| 申请号： | 200610064882.3 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038946A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/00;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 量子 阱导带内 跃迁 材料 结构 | ||
【权利要求书】：
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