[发明专利]单闸极的非挥发性内存及其操作方法

权利要求书

1.一种单栅极的非挥发性内存，包括：

一半导体基底；

一晶体管，包含一第一介电层、一第一导电栅极与复数个第一 离子掺杂区，该第一介电层位于该半导体基底表面，该第一导电栅 极迭设于该第一介电层上方，该些第一离子掺杂区位于该第一导电 栅极的两侧分别形成源极及漏极；及

一电容结构，包含一第二介电层、一第二导电栅极与一第二离 子掺杂区，该第二介电层位于该半导体基底表面，该第二导电栅极 迭设于该第二介电层上方，该第二离子掺杂区位于该第二介电层一 侧，且该第一导电栅极与该第二导电栅极为隔离且为电连接，作为 单浮接栅极；

进一步包含一第三离子掺杂区，设于该半导体基底内并位于该 些第一离子掺杂区下方，且该第三离子掺杂区与该第二离子掺杂区 掺杂同型的离子；

进一步包含一隔离井，设于该半导体基底内并位于该第三离子 掺杂区下方，该隔离井与该第二离子掺杂区掺杂第一型的离子， 该第三离子掺杂区与该半导体基底掺杂第二型的离子，且该第一 型的离子与该第二型的离子是相异的。

2.如权利要求1所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该半 导体基底为P型半导体基底或N型半导体基底。

3.如权利要求1所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该第 一离子掺杂区与该第二离子掺杂区掺杂第一型的离子，而该半导 体基底则掺杂第二型的离子，且该第一型的离子与该第二型的离 子是相异的。

4.如权利要求3所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该半 导体基底为P型半导体基底，则该第一离子掺杂区及第二离子掺 杂区为N型掺杂区。

5.如权利要求3所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该半 导体基底为N型半导体基底，则该第一离子掺杂区及该第二离子 掺杂区为P型掺杂区。

6.如权利要求1所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该第 三离子掺杂区延伸至该第二离子掺杂区下方。

7.如权利要求1所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该半 导体基底为N型半导体基底，则该第二离子掺杂区及该第三离子 掺杂区为P型掺杂区。

8.如权利要求1所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于：该半 导体基底为P型半导体基底，则该第二离子掺杂区及该第三离子 掺杂区为N型掺杂区。

9.如权利要求2所述的单栅极的非挥发性内存，其特征在于，该单 栅极的非挥发性内存之操作方法包括：

于该P型半导体基底、该源极、该漏极与该第二离子掺杂区上 分别施加一基底电压V_sub、一源极电压V_s、一漏极电压V_d与一控 制栅极电压V_c，并满足下列条件：

写入时，满足V_sub为接地；

V_d>V_s>0；及

V_c>V_s>0；及

抹除时，满足V_sub为接地；及

V_d>V_c>V_s≧0。