[发明专利]显影剂支持体、显影剂支持体的制造方法、显影装置和成像装置有效
申请号: | 200610072198.X | 申请日: | 2006-04-18 |
公开(公告)号: | CN101059668A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 安藤雅宏;野田明彦;尾崎善史;大场正太 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G9/10 | 分类号: | G03G9/10;G03G15/08;G03G15/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显影剂 支持 制造 方法 显影 装置 成像 | ||
1.一种显影剂支持体,该显影剂支持体在经过粗糙化处理的中空圆筒状基体上具有由金属构成的表面层,其中,所述表面层的60°镜面光泽度在10~40光泽度单位的范围内。
2.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述表面层的算术平均表面粗糙度Ra2在1.0μm~3.2μm的范围内。
3.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述形成表面层的金属是选自由Ni、Cu、Zn和Sn组成的组中的至少一种金属。
4.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述表面层的厚度在0.3μm~30μm的范围内。
5.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述表面层包含光泽剂。
6.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述表面层的算术平均表面粗糙度Ra2相对于所述基体的算术平均表面粗糙度Ra1的比值,即Ra2/Ra1为大于或等于0.7且小于1。
7.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述基体的算术平均表面粗糙度Ra1在1.4μm~3.5μm的范围内。
8.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,所述基体是铝或其合金。
9.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,通过喷砂、珩磨或用磨石来磨削,对所述基体进行表面粗糙化处理。
10.如权利要求1所述的显影剂支持体,其中,在所述基体和表面层之间布置有底层,该底层是由选自Ni和Cu中的至少一种金属构成。
11.如权利要求10所述的显影剂支持体,其中,所述底层的厚度在1.5μm~4.0μm的范围内。
12.如权利要求10所述的显影剂支持体,其中,所述底层通过非电镀而形成。
13.一种显影装置,该装置包括
权利要求1所述的显影剂支持体,
将显影剂供给到所述显影剂支持体上的显影剂供给单元,和
使由所述显影剂供给单元供给的显影剂带电的带电单元。
14.如权利要求13所述的显影装置,其中,所述显影剂是磁性单组分显影剂。
15.一种成像装置,该成像装置至少包括
潜像支持体,
使所述潜像支持体的表面带电的带电单元,
在所述潜像支持体表面上形成潜像的潜像形成单元,
权利要求13所述的显影装置,该显影装置用于使用调色剂对所述潜像进行显影以形成调色剂图像,
将所述调色剂图像转印到转印接收材料上的转印单元,和
将所述调色剂图像定影在所述转印接收材料上的定影单元。
16.一种制造权利要求1所述的显影剂支持体的方法,该方法包括
通过用含金属的电解液对经过粗糙化处理的中空圆筒状基体进行电解,以便在所述基体的表面上形成由金属构成的表面层,该表面层的60°镜面光泽度为10~40光泽度单位。
17.如权利要求16所述的制造显影剂支持体的方法,其中,所述金属是选自由Ni、Cu、Zn和Sn合金组成的组中的至少一种金属。
18.如权利要求16所述的制造显影剂支持体的方法,该方法包括对所述显影剂支持体中的基体的表面进行粗糙化,使得该基体的算术平均表面粗糙度Ra1在1.4μm~3.5μm的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士施乐株式会社,未经富士施乐株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610072198.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。