[发明专利]高亮度发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.高亮度发光二极管，包括：

透明基板，其是由包含砷化铝镓(Al_xGa_1-xAs)的材料所形成；

发光层，其是生长于该透明基板上，且由包含磷化铝镓铟(AlGaInP)的材料所形成；

窗层，其是生长于该发光层上；

上电极层，其是与该窗层形成欧姆接触；以及

下电极层，其是与该透明基板形成欧姆接触，

其中，该透明基板材料的分子式Al_xGa_1-xAs中的x值是设定为会使该透明基板，对该发光层所发出特定波长的光，具有高能隙的透光度的数值，且该窗层是用来增进该上电极层导通至该发光层的电流扩散效果。

2.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其中，所述透明基板的厚度是介于50至100微米(μm)之间。

3.如权利要求1所述的高亮度发光二极管，其中，所述窗层是由包含III-V族化合物半导体的材料所形成的高能隙透光结构。

4.如权利要求3所述的高亮度发光二极管，其中，所述窗层的材料是磷化镓(GaP)。

5.如权利要求4所述的高亮度发光二极管，其中，所述窗层的厚度是介于2至150微米之间。

6.高亮度发光二极管的制造方法，包括：

(a)利用磊晶技术，在基板上生长包括砷化铝镓(Al_xGa_1-xAs)的第一磊晶层，其中，所述第一磊晶层的Al_xGa_1-xAs中的x值是设定为会使所述透明基板，对所述发光层所发出特定波长的光，具有高能隙的透光度的数值；

(b)利用有机金属气相结晶法，在所述第一磊晶层上生长包括磷化铝镓铟(AlGaInP)的第二多层磊晶层，作为发光结构层；

(c)利用有机金属气相结晶法，在所述第二磊晶层上生长包含III-V族化合物半导体的第三磊晶层；

(d)利用蚀刻技术将所述基板移除；以及

(e)在所述第三磊晶层的上表面形成具有特定图案的电极层，以作为所述高亮度发光二极管的上电极；以及

(f)在所述第一磊晶层的下表面形成具有特定图案的电极层，以作为所述高亮度发光二极管的下电极，其中，上、下电极层与其相邻的磊晶层形成欧姆接触。

7.如权利要求6所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述(a)步骤中，所述磊晶技术是液相磊晶技术。

8.如权利要求6所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述(a)步骤中，所述基板的材料是包括砷化镓(GaAs)。

9.如权利要求6所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述(a)步骤中，所述第一磊晶层的厚度是介于50至100微米(μm)之间。

10.如权利要求6所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述(a)步骤中，所述x值的范围是介于0.45至0.9之间。

11.如权利要求10所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述x值是0.8。

12.如权利要求6所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述(c)步骤中，所述第三磊晶层的材料包括磷化镓(GaP)。

13.如权利要求12所述的高亮度发光二极管制造方法，其中，所述第三磊晶层的厚度是介于2至150微米之间。