[发明专利]一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法

权利要求书

1、一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为在高压釜中，利用高温高压的纯水，或酸、碱、盐的溶液使得氟硼铍酸铷/铯溶解并再结晶生长单晶体的方法；

其具体步骤包括：将氟硼铍酸铷/铯营养料15～300g放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度，在黄金衬套中加入含有0～2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值在1.0～14.0之间；在营养料的上方放置一个开孔率为7～15％的黄金挡板，将溶解区和生长区隔开；在黄金衬套的顶部悬挂由熔盐法晶体生长所得加工而成c方向的氟硼铍酸铷/铯晶体作为籽晶；然后将黄金衬套密封，放入高压釜中，在高压釜和黄金衬套的夹层中加入一定量的去离子水或蒸馏水，使得在随后晶体生长时，黄金衬套内外压力平衡，不致于因为衬套内压力大于衬套外压力而破裂，也不致于因为衬套内压力小于衬套外压力而被压瘪；将高压釜用密封盖密封后，加热，使得生长区平均温度为300～425℃，溶解区平均温度为380～500℃，压力P≤200MPa；经过10～90天的恒温生长，即可得到氟硼铍酸铷/铯单晶体。

2、如权利要求1所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的黄金衬套的反应腔尺寸为(24～60)mm×(180～1200)mm。

3、如权利要求1所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的氟硼铍酸铷/铯营养料为采用熔盐法生长的、大小为10mm×20mm×(2～3)mm或其它尺寸的氟硼铍酸铷/铯晶体破碎至粒径为2～4mm的碎晶颗粒，或是高温固相反应合成的、粒径为200～1000微米的氟硼铍酸铷/铯粉末，或是将高温固相反应法合成的氟硼铍酸铷/铯的粉末经过压制、烧结后破碎至粒径为2～4mm的粉末制品。

4、如权利要求1所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的矿化剂为选自酸类化合物、含硼化合物、含有碱金属元素或碱土金属元素的氢氧化物、碳酸盐和卤化物中的一种或多种。

5、如权利要求4所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的酸类化合物为硼酸、盐酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、磷酸、碳酸或氢硫酸。

6、如权利要求4所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的含硼化合物为氧化硼或硼酸盐。

7、如权利要求4所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的碱金属元素或碱土金属元素的氢氧化物为氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯、氢氧化钙或氢氧化钡。

8、如权利要求4所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的碳酸盐为碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。

9、如权利要求4所述的水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其特征在于：所述的卤化物为氟化钠、氟化钾、氟化铷或氟化铯。