[发明专利]基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件有效
| 申请号： | 200610072797.1 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101055916A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;曾中明;韩宇男;姜丽仙;彭子龙;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 环状 闭合 磁性 多层 逻辑 元件 | ||
1、一种基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，包括：三条输入信号线，两条输出信号线和磁性多层膜，三条输入信号线中每条输入线中流过的电流强度均相同，且电流均穿过所述磁性多层膜，分别将“0”和“1”分配给它们，利用输入信号的组合，决定磁性多层膜中各磁性层的磁化方向，将通过磁性多层膜的磁电阻效应的大小作为输出信号，其特征在于：所述的磁性多层膜为一环状闭合型的磁性多层膜。
2、如权利要求1所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的环状闭合型磁性多层膜包括常规的磁性多层膜的各层，该磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环。
3、如权利要求2所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的矩形环的内环的宽度为10～100000nm，外环的宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1～1∶5。
4、如权利要求2所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的椭圆环的内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1.1～1∶5，椭圆外环的短轴为20～200000nm。
5、一种基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，包括：三条输入信号线，两条输出信号线和磁性多层膜单元，其中的两条输入信号线中流过的电流强度均相同，且该两条输入信号线中的电流均穿过所述磁性多层膜，分别将“0”和“1”分配给它们，其特征在于：所述的磁性多层膜为环状闭合型含金属芯的磁性多层膜，另一条输入信号线为磁性多层膜的环状闭合型磁性多层膜中间的金属芯线；利用输入信号的组合，决定磁性多层膜中各磁性层的磁化方向，将通过磁性多层膜单元的磁电阻效应的大小作为输出信号。
6、如权利要求5所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的环状闭合型含金属芯的磁性多层膜包括常规的磁性多层膜的各层，该磁性多层膜的横截面呈闭合的矩形环或者椭圆环，还包括位于该闭合环状多层膜的几何中心位置的、且与其形状相匹配的一个金属芯，该金属芯的横截面为矩形或椭圆形。
7、如权利要求6所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述磁性多层膜的矩形环的内环的宽度为10～100000nm，矩形外环的宽度为20～200000nm，矩形内环的宽度与长度的比值为1∶1～1∶5；所述的金属芯横截面的矩形的宽度为5～50000nm，宽度与长度的比值为1∶1～1∶5。
8、如权利要求6所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述磁性多层膜的椭圆环的内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1.1～1∶5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；所述的金属芯横截面的椭圆形的短轴为5～50000nm，椭圆形的短轴与长轴比值为1∶1.1～1∶5。
9、如权利要求6所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的金属芯的材料为电阻率较小的金属材料。
10、如权利要求9所述的基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，其特征在于：所述的电阻率较小的金属材料为Au、Ag、Pt、Ta、W、Ti、Cu或Al。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610072797.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
