[发明专利]晶圆刻印方法无效
| 申请号： | 200610073751.1 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101051187A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡裕斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻印 方法 | ||
1.一种晶圆刻印方法，其包括：步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一第一表面及一第二表面，一胶层设置于该第一表面上；步骤(b)贴设该胶层于一第一胶膜下；以及步骤(c)投射一雷射光于该晶圆的第二表面以进行刻印；其特征在于：所述步骤(b)进一步包括：该第一胶膜设置于一框架上。
2.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤(b)之后更包括将该晶圆及该框架贴设在一第二胶膜上。
3.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述第一胶膜为一透明材质。
4.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述胶层为一透明材质。
5.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤(c)之前更包括在该晶圆背面形成至少一定位点。
6.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤(c)中，该雷射光配合相对于该晶圆另一侧的一影像装置同轴移动，以完成刻印步骤。
7.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤(c)之后更包括雷射切割该晶圆以形成若干个芯片单元。
8.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述晶圆的第一表面上设置有若干个凸块。
9.如权利要求1所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤(a)之后另包括一研磨步骤，以薄化该晶圆。
10.如权利要求7所述的晶圆刻印方法，其特征在于：所述步骤之(c)之后另包括一分离该第一胶膜与该晶圆的步骤。
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