[发明专利]氮化镓类半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610074303.3 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1848452A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 菅原秀人;本乡智惠 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/207 | 分类号： | H01L29/207;H01L29/737;H01L21/205;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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