[发明专利]嵌埋半导体芯片的承载板结构及其制法无效
申请号: | 200610074460.4 | 申请日: | 2006-04-21 |
公开(公告)号: | CN101060104A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 许诗滨;连仲城;曾昭崇;陈尚玮 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/488;H01L21/48 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 承载 板结 及其 制法 | ||
1.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构包括:
一承载板;
至少一矩形开口,形成于承载板中;
至少一缺口,形成于该矩形开口角落处;以及
一半导体芯片,置于该矩形开口中。
2.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构还包括粘着材料,形成于该承载板开口与半导体芯片的间隙中。
3.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。
4.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该半导体芯片周边与承载板形成的矩形开口周边的间隙介于10μm~200μm。
5.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是单一钻孔。
6.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一大钻孔及两个位于相邻该大钻孔的小钻孔。
7.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一小钻孔及两个位于相邻该小钻孔的大钻孔。
8.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括多个大钻孔。
9.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是利用机械钻孔、激光钻孔或冲压形成。
10.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口是利用机械钻孔或激光钻孔形成。
11.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构包括:
一承载板;
至少一矩形开口,形成于该承载板中;以及
至少一缺口,形成于该矩形开口的角落处。
12.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。
13.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口可置入一半导体芯片。
14.如权利要求13所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该半导体芯片周边与承载板形成的矩形开口周边的间隙介于10μm~200μm。
15.如权利要求13所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构还包括粘着材料,形成于该承载板的开口与半导体芯片的间隙中。
16.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是单一钻孔。
17.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一大钻孔及两个位于相邻该大钻孔的小钻孔。
18.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一小钻孔及两个位于相邻该小钻孔的大钻孔。
19.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括多个大钻孔。
20.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是利用机械钻孔、激光钻孔或冲压形成。
21.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口是利用机械钻孔或激光钻孔形成。
22.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法包括:
提供一承载板;
在该承载板的预定位置形成矩形开口;以及
在该矩形开口的角落处形成缺口。
23.如权利要求22所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。
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