[发明专利]嵌埋半导体芯片的承载板结构及其制法无效

专利信息
申请号: 200610074460.4 申请日: 2006-04-21
公开(公告)号: CN101060104A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 许诗滨;连仲城;曾昭崇;陈尚玮 申请(专利权)人: 全懋精密科技股份有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/488;H01L21/48
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 承载 板结 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构包括:

一承载板;

至少一矩形开口,形成于承载板中;

至少一缺口,形成于该矩形开口角落处;以及

一半导体芯片,置于该矩形开口中。

2.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构还包括粘着材料,形成于该承载板开口与半导体芯片的间隙中。

3.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。

4.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该半导体芯片周边与承载板形成的矩形开口周边的间隙介于10μm~200μm。

5.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是单一钻孔。

6.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一大钻孔及两个位于相邻该大钻孔的小钻孔。

7.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一小钻孔及两个位于相邻该小钻孔的大钻孔。

8.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括多个大钻孔。

9.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是利用机械钻孔、激光钻孔或冲压形成。

10.如权利要求1所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口是利用机械钻孔或激光钻孔形成。

11.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构包括:

一承载板;

至少一矩形开口,形成于该承载板中;以及

至少一缺口,形成于该矩形开口的角落处。

12.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。

13.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口可置入一半导体芯片。

14.如权利要求13所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该半导体芯片周边与承载板形成的矩形开口周边的间隙介于10μm~200μm。

15.如权利要求13所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构还包括粘着材料,形成于该承载板的开口与半导体芯片的间隙中。

16.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是单一钻孔。

17.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一大钻孔及两个位于相邻该大钻孔的小钻孔。

18.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括一小钻孔及两个位于相邻该小钻孔的大钻孔。

19.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口包括多个大钻孔。

20.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该缺口是利用机械钻孔、激光钻孔或冲压形成。

21.如权利要求11所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构,其特征在于,该矩形开口是利用机械钻孔或激光钻孔形成。

22.一种嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法,其特征在于,该嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法包括:

提供一承载板;

在该承载板的预定位置形成矩形开口;以及

在该矩形开口的角落处形成缺口。

23.如权利要求22所述的嵌埋半导体芯片的承载板结构的制法,其特征在于,该承载板可以是绝缘板、金属板或已完成前段线路工序的电路板。

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