[发明专利]导电的厚膜组合物、电极和所形成的半导体设备有效
申请号: | 200610074808.X | 申请日: | 2006-04-14 |
公开(公告)号: | CN101055776A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | Y·L·王;K·W·汉 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01B1/22 | 分类号: | H01B1/22;C03C3/062;H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 组合 电极 形成 半导体设备 | ||
1.一种导电厚膜组合物,包含:
(a)导电金属粒子,它包括银粒子和铝粒子的混合物;
(b)玻璃料,所述玻璃料不含Pb;分散于
(c)有机介质中;
所述导电金属粒子的平均粒径在0.5-10.0微米范围内;
所述玻璃料包含,以玻璃料组合物总重量百分比计的下列物质:SiO2 0.5-35, Al2O3 0-5,B2O3 1-15,ZnO 0-15和Bi2O3 55-90;
所述组合物还包含
(d)一种或多种无机添加剂,所述无机添加剂选自:(1)Cu和Bi;(2)能产生 Cu和Bi的化合物;以及(4)它们的混合物。
2.如权利要求1所述的组合物,其特征在于所述能产生Cu和Bi的化合物各自为 Cu的氧化物和Bi的氧化物。
3.如权利要求1所述的组合物,其特征在于它还包括一种或多种无机添加剂, 该无机添加剂选自:(1)TiB2、Ti、Al、Sn、Sb、Cr、Fe、Mn、Co、Ni、Ru和B; (2)能产生选自以下的金属元素的化合物:Ti、Al、Sn、Sb、Cr、Fe、Mn、Co、 Ni、Ru和B;以及(4)它们的混合物。
4.如权利要求3所述的组合物,其特征在于所述能产生Ti、Al、Sn、Sb、Cr、 Fe、Mn、Co、Ni、Ru和B金属元素的化合物是Ti、Al、Sn、Sb、Cr、Fe、Mn、Co、 Ni、Ru和B各自的氧化物。
5.如权利要求1所述的组合物,包含,以组合物总重量计:
40-68.98重量百分数的Ag粒子,
2-10重量百分数的所述玻璃料,
1-5重量百分数的Al粒子,
0.2-2重量百分数的无机添加剂,和
23.23-50重量百分数的有机介质。
6.如权利要求1所述的组合物,其特征在于所述导电金属粒子为选自下列的形 式:(1)片状、(2)球状、和(3)它们的混合物。
7.如权利要求1所述的组合物,其特征在于所述玻璃料的软化温度在300-550℃ 范围。
8.由权利要求1所述的组合物形成的电极,其特征在于,所述组合物经过燃烧, 以除去有机介质,并烧结所述玻璃料。
9.一种包含权利要求8所述电极的半导体设备。
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