[发明专利]利用保护性罩幕的光罩等离子体蚀刻法

权利要求书

1.一种形成光罩的方法，包含：

图案化光罩层上的光阻罩幕层以提供经图案化的光阻罩幕层，所述光 罩层含有至少铬层；

于所述图案化的光阻罩幕层上沉积保角形聚合物保护层，以使所述保 角形聚合物保护层具有介于100至500埃之间的厚度；随后

移除设置于所述经图案化的光阻罩幕层的开口中的所述保角形聚合物 保护层的水平部分，以暴露所述铬层的沿所述开口的底部的若干部分；

然后蚀刻所述铬层的被暴露的沿所述开口的底部的若干部分以提供图 案化的铬层；以及

移除所述图案化的光阻罩幕层与所述保角形聚合物保护层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述保角形聚合物保护层是为具有 氢的碳聚合物。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积步骤另包含：

由三氟甲烷或八氟环丁烷中的至少一种形成等离子体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述沉积步骤另包含：

导入氩气至所述等离子体中。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积的步骤包含：

施加介于0至20瓦的偏压功率。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻铬层的被暴露的若干部分 的步骤另包含：

提供至少一种氟碳制程气体至制程反应室中；以及

利用数个小于600瓦的功率脉冲以偏压位于所述制程反应室中基板支 撑件上的所述图案化的光阻罩幕层。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化的光阻罩幕层与所述保 角形聚合物保护层的所述移除步骤在所述制程反应室中原处进行，其中蚀 刻所述铬层的被暴露的若干部分的所述步骤是于同处进行。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化的光阻罩幕层与所述保 角形聚合物保护层的所述移除步骤是在制程系统中原处进行，其中所述制 程系统具有制程反应室与该制程系统耦接。

9.如权利要求1所述的方法，另包含：

利用所述图案化的铬层以蚀刻衰减层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述衰减层含有钼。

11.如权利要求9所述的方法，另包含：

移除所述图案化的铬层。

12.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成图案化的光阻层于所述图案化的铬层上，其中所述图案化的铬层 中的至少第一开口是以光阻填满，且所述图案化的铬层中的至少第二开口 是经由所述图案化的光阻层而开通；

通过所述第二开口蚀刻石英层；以及

移除所述图案化的光阻层。

13.一种形成光罩的方法，包含：

图案化位于膜堆叠上的光阻层以提供图案化的光阻层，所述膜堆叠具 有含铬层；

利用小于20瓦的偏压功率以沉积保角形保护层于所述图案化的光阻 层上，使所述保角形保护层具有介于100至500埃之间的厚度；随后

移除所述保角形保护层的水平部分，以暴露所述含铬层的若干部分；

然后利用作为蚀刻罩幕的所述图案化的光阻层与所述保角形保护层以 蚀刻所述含铬层的被暴露的若干部分，以提供图案化的含铬层；以及

移除所述蚀刻罩幕。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述膜堆叠另包含：

钼层，该钼层是利用作为蚀刻罩幕的所述图案化的含铬层而加以图案 化；以及其中

所述图案化的含铬层的至少一部份是被移除。

15.如权利要求13所述的方法，另包含：

蚀刻位于石英层中的数个特征，以提供蚀刻特征。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述石英层中的所述蚀刻特征是 由制程所形成，包含：

形成第二图案化的光阻层于所述图案化的含铬层上，其中所述图案化 的含铬层中的至少第一开口是以光阻填满，且所述图案化的含铬层中的至 少第二开口是经由所述第二图案化的光阻层而开通；

通过所述第二开口而蚀刻所述石英层；以及

移除所述第二图案化的光阻层。