[发明专利]具有反馈技术的静电放电防护电路

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，其包含有：

一电阻组件，用来提供一特定电阻值，该电阻组件具有耦接至一第一电压电平的一第一端以及耦接至一节点N1的一第二端；

一电容组件，用来提供一特定电容值，该电容组件具有耦接至该节点N1的一第一端以及耦接至一第二电压电平的一第二端；

一第一晶体管，具有耦接至该第一电压电平的一第一端、耦接至该第二电压电平的一第二端、以及耦接至一节点N2的一第三端；

一反相器组，具有耦接至该节点N1的一输入端与耦接至该节点N2的一输出端，其中，该反相器组包含有多个串联的反相器，每个反相器均包含有一P型金属氧化物半导体场效晶体管以及一N型金属氧化物半导体场效晶体管；以及

一第二晶体管，具有一第一端、一第二端、以及一第三端，该第一端耦接至该反相器组中一第一反相器的一N型金属氧化物半导体场效晶体管的源极、该第二端耦接至该第二电压电平、而该第三端耦接至该反相器组中一第二反相器的一输出端，其中，该第一反相器的一输出端与该第二反相器的该输出端是分别对应不同的逻辑电平。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中，该第一晶体管是一N型金属氧化物半导体场效晶体管，该N型金属氧化物半导体场效晶体管的第一端是漏极、第二端是源极、而第三端是栅极。

3.如权利要求2所述的静电放电保护电路，其中，该反相器组包含有奇数个反相器。

4.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中，该第一晶体管是一P型金属氧化物半导体场效晶体管，该P型金属氧化物半导体场效晶体管的第一端是源极、第二端是漏极、而第三端是栅极。

5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其中，该反相器组包含有偶数个反相器。

6.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其中，该第二晶体管是一N型金属氧化物半导体场效晶体管，该N型金属氧化物半导体场效晶体管的第一端是漏极、第二端是源极、而第三端是栅极。

7.一种静电放电保护电路，其包含有：

一电阻组件，用来提供一特定电阻值，该电阻组件具有耦接至一第一电压电平的一第一端以及耦接至一节点N1的一第二端；

一电容组件，用来提供一特定电容值，该电容组件具有耦接至该节点N1的一第一端以及耦接至一第二电压电平的一第二端；

一第一晶体管，具有耦接至该第一电压电平的一第一端、耦接至该第二电压电平的一第二端、以及耦接至一节点N2的一第三端；

一第二晶体管，具有耦接至该第一电压电平的一第一端、耦接至一节点N3的一第二端、以及耦接至该节点N1的一第三端；

一第三晶体管，具有耦接至该节点N3的一第一端、耦接至该第二电压电平的一第二端、以及耦接至一节点N4的一第三端；以及

一第一反相器组，具有耦接至该节点N3的一输入端以及耦接至该节点N2的一输出端，且该第一反相器组包含有多个串联的反相器；

其中，该节点N4是耦接于该第一反相器组中一特定反相器的一输出端，且该特定反相器的该输出端与该节点N3是分别对应不同的逻辑电平。

8.如权利要求7所述的静电放电保护电路，其另包含有：

一第二反相器组，具有耦接至该节点N1的一输入端以及耦接至该第二晶体管的该第三端的一输出端，且该第二反相器组包含有多个串联的反相器。

9.如权利要求8所述的静电放电保护电路，其中，该第一晶体管是一N型金属氧化物半导体场效晶体管，该N型金属氧化物半导体场效晶体管的第一端是漏极、第二端是源极、而第三端是栅极。

10.如权利要求9所述的静电放电保护电路，其中，该第一反相器组与该第二反相器组均包含有奇数个反相器。

11.如权利要求8所述的静电放电保护电路，其中，该第一晶体管是一P型金属氧化物半导体场效晶体管，该P型金属氧化物半导体场效晶体管的第一端是源极、第二端是漏极、而第三端是栅极。

12.如权利要求11所述的静电放电保护电路，其中，该第一反相器组与该第二反相器组均包含有偶数个反相器。