[发明专利]增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的结构及方法有效
申请号: | 200610075472.9 | 申请日: | 2006-04-20 |
公开(公告)号: | CN1921014A | 公开(公告)日: | 2007-02-28 |
发明(设计)人: | 林清淳;陈耕晖;郭乃萍;陈汉松;洪俊雄;谢文义 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吕晓章;李晓舒 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增加 氮化物 只读存储器 阵列 均匀 结构 方法 | ||
【权利要求书】:
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