[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：

基板；

底部层，设置在该基板上；

铜栅极，设置在该底部层上；

栅绝缘层，覆盖该铜栅极与该底部层；

沟道层，设置在该栅绝缘层上，并位于该铜栅极上方；以及

源极/漏极，设置在该铜栅极上方的该沟道层的两侧。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该底部层的材质选自于氮化硅、氮氧化硅、二氧化硅、二氧化钛、三氧化二铝、二氧化锆、五氧化二铌、氧化钽、钛酸钡、钛酸锆铅及其组合中的一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该底部层的厚度介于50～300nm之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该栅绝缘层材质与该底部层材质相同。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该栅绝缘层材质与该底部层材质不相同。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该沟道层包括半导体层与欧姆接触层，而该欧姆接触层位于该半导体层上。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：

提供基板；

在该基板上形成底部层；

在该底部层上形成铜栅极；

在该基板上形成栅绝缘层，且该栅绝缘层覆盖该铜栅极与该底部层；

在该铜栅极上方的该栅绝缘层上形成沟道层；以及

在该铜栅极上方的该沟道层的两侧形成源极/漏极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是在该基板上形成该底部层的方法包括化学气相沉积法。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是于该底部层上形成该铜栅极的方法包括：

在该底部层上形成铜金属材料层；以及

图案化该铜金属材料层。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是形成该铜金属材料层的方法包括蒸镀法或溅镀法。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是于该铜栅极上方的该栅绝缘层上形成该沟道层的方法包括：

在该栅绝缘层上依次形成半导体材料层与欧姆接触材料层；以及

图案化该半导体材料层与该欧姆接触材料层。

12.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是于该铜栅极上方的该沟道层的两侧形成该源极/漏极的方法包括：

于该沟道层上形成源极/漏极材料层；

图案化该源极/漏极材料层。

13.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征是在该铜栅极上方的该沟道层的两侧形成该源极/漏极之后，还包括进行一次蚀刻工艺，以移除该铜栅极上方的该欧姆接触层与部分的该半导体层。