[发明专利]功率芯片的封装制程无效
申请号: | 200610075979.4 | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064260A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 于浩然;张仲琦;刘尚纬 | 申请(专利权)人: | 碁成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张争艳 |
地址: | 台湾省桃园县龙*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 芯片 封装 | ||
1、一种功率芯片的封装制程,其特征在于,其封装步骤流程如下:
(A)制作金属凹槽,先将金属材质所制成的片材进行加下,成型为呈凹杯状的凹槽,另于金属凹槽表面设置一个或一个以上开孔;
(B)制作电路板,电路板表面对应于金属凹槽处开设对应孔,并于电路板上设置多个接点;
(C)结合金属凹槽与电路板,将呈凹杯状的金属凹槽嵌入结合于电路板表面所开设的对应孔内,且金属片的凹槽底部凸出电路板背面,而电路板上的接点则位于金属凹槽所设的开孔内;
(D)封装功率芯片,将芯片置放于金属凹槽内,并利用打线作业将导线由芯片拉至开孔处的接点上形成电性导通,而后封胶于芯片上,即完成封装制程。
2、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述金属凹槽与电路板的结合方式为表面黏着、胶片黏合、液态胶黏合、双面胶黏合或其它具同等功效的材料与方法,使金属凹槽紧密地与电路板结合。
3、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述金属凹槽为铜、镍、铝、镁、铜钼铜、镍钼镍所制成。
4、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述金属的凹槽及开孔为利用机械冲压、蚀刻、铸造、计算机数控加工方式来加工成型为各种几何形状的外型,且开孔的开断面延伸至凹槽上缘。
5、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述金属的凹槽于加工成型后,进行表面化学处理或电镀处理而形成金属光泽。
6、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述金属凹槽进一步于表面周缘向上延伸设计产生防止溢胶的阻胶边。
7、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述电路板背面设置多个接点,且电路板进一步与金属材质所制成的基板结合,而所述基板表面则设置绝缘体,以及与电路板背面接点相连接的接点,且金属的凹槽底而为抵贴于基板的绝缘体让开位置处。
8、如权利要求7所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述基板为铜基板、铝基板或其它金属基板。
9、如权利要求1所述的功率芯片的封装制程,其特征在于,所述电路板上所开设的对应孔为符合金属凹槽的弧度而设计成型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造