[发明专利]画素结构及其修补方法

权利要求书

1、一种像素结构，其特征在于其包括：

一扫描线；

一栅极，与该扫描线电性连接，且该栅极具有一第一凹口；

一第一介电层，覆盖该扫描线与该栅极；

一通道层，配置于该栅极上方的该第一介电层上，且该通道层具有一第二凹口，该第二凹口位于该第一凹口上方以暴露出该第一凹口；

一源极与一漏极，配置在该通道层上，其中部分该漏极位于该第一凹口上方；

一数据线，配置在该第一介电层上，且与该源极电性连接；

一第二介电层，覆盖该源极、该漏极与该数据线；以及

一像素电极，配置于该第二介电层上，且与该漏极电性连接。

2、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于其进一步包括一共用配线，适于电性连接至一共用电压，该共用配线部份位于该像素电极下方，且该共用配线的另一部份位于该数据线下方。

3、根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于其进一步包括一欧姆接触层，配置于该通道层、该源极与该漏极之间。

4、一种像素结构，其特征在于其包括：

一扫描线；

一栅极，与该扫描线电性连接，且该栅极具有一第一开口；

一第一介电层，覆盖该扫描线与该栅极；

一通道层，配置于该栅极上方的该第一介电层上，且该通道层具有一第二开口，该第二开口位于该第一开口上方以暴露出该第一开口；

一源极与一漏极，配置在该通道层上，其中部分该漏极位于该第一开口上方；

一数据线，配置在该第一介电层上，且与该源极电性连接；

一第二介电层，覆盖该源极、该漏极与该数据线；以及

一像素电极，配置于该第二介电层上，且与该漏极电性连接。

5、根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于其进一步包括一共用配线，适于电性连接至一共用电压，该共用配线部份位于该像素电极下方，且该共用配线的另一部份位于该数据线下方。

6、根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于其中所述的源极具有一凹口，该凹口位于该第一开口上方，且该漏极的一端位于该凹口中。

7、根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于其进一步包括一延伸线，连接于该数据线与该源极之间，该延伸线、该数据线与该源极形成一第三开口。

8、根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于其中所述的扫描线部份位于该第三开口中。

9、根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于其进一步包括一欧姆接触层，配置于该通道层、该源极与该漏极之间。

10、一种像素结构的修补方法，适于修补如权利要求2所述的像素结构，其特征在于其中所述的像素修补方法包括：

在该第一凹口至该像素电极之间切断该漏极，以使该像素电极与该栅极及该源极电性绝缘；

连接该共用配线与该数据线；

连接该共用配线与该像素电极；以及

切断该共用配线，使该数据线与该像素电极电性绝缘于该共用电压。

11、根据权利要求10所述的修补方法，其特征在于其中切断该漏极的方法包括激光切割。

12、根据权利要求10所述的修补方法，其特征在于其中连接该共用配线与该数据线的方法包括激光熔接。

13、根据权利要求10所述的修补方法，其特征在于其中连接该共用配线与该像素电极的方法包括激光熔接。

14、根据权利要求10所述的修补方法，其特征在于其中切断该共用配线的方法包括激光切割。

15、一种像素结构的修补方法，适于修补权利要求5所述的像素结构，其特征在于其中所述的像素修补方法包括：

在该栅极与该像素电极之间切断该漏极，以使该像素电极与该栅极及该源极电性绝缘；

连接该共用配线与该数据线；

连接该共用配线与该像素电极；以及

切断该共用配线，使该数据线与该像素电极电性绝缘于该共用电压。

16、根据权利要求15所述的修补方法，其特征在于其中切断该漏极的方法包括激光切割。

17、根据权利要求15所述的修补方法，其特征在于其中连接该共用配线与该数据线的方法包括激光熔接。