[发明专利]光电二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作光电二极管的方法，包括:

提供基底；

形成多个绝缘层于该基底中；

形成掺杂区于该基底中，且被该些绝缘层围绕；

形成介电层位于该基底上；

形成第一导电层于该介电层上；

蚀刻该第一导电层和该介电层以形成开口，以暴露出部分该掺杂区的表面；

形成第二导电层于该第一导电层上方和该开口内；

图案化该第二导电层，以形成导线于该掺杂区的一侧；

图案化该第一导电层，以形成栅极于该掺杂区不同于该导线的一侧；以及

形成源极/漏极于该栅极不同于该掺杂区的一侧的该基底中。

2.如权利要求1所述的方法，其中该基底是P型基底。

3.如权利要求2所述的方法，其中该掺杂区是N型掺杂区。

4.如权利要求3所述的方法，其中该栅极形成后，还包括形成P型掺杂区于该掺杂区的表面。

5.如权利要求1所述的方法，其中该些绝缘层是浅沟隔离。

6.如权利要求5所述的方法，其中还包括形成多个护环于该些浅沟隔离靠近该掺杂区的一侧。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一导电层包括以下步骤:

于该介电层上形成一非掺杂多晶硅层；

形成图案化光致抗蚀剂层于该非掺杂多晶硅层上方；以及

进行离子注入工艺，使得部分该第一导电层包括有多个掺杂多晶硅区段和非掺杂多晶硅区段。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第二导电层是由掺杂多晶硅所构成。

9.如权利要求8所述的方法，其中该开口是埋藏接触窗。

10.如权利要求9所述的方法，其中该第二导电层填入该开口的部分是接触插塞。

11.一种光电二极管结构，包括:

基底；

介电层，位于该基底表面上；

多个绝缘层，位于该基底中；

掺杂区，位于该基底中，且被该些绝缘层围绕；

栅极，位于该介电层上方，且该栅极位于该掺杂区的一侧；

多晶硅区段，位于该介电层上方，且该多晶硅区段位于该掺杂区的不同于该栅极的另一侧；

开口，位于该多晶硅区段和该介电层中，深至该掺杂区表面；

图案化多晶硅层，位于该开口中和部分该多晶硅区段上方；以及

源极/漏极，位于该栅极不同于该掺杂区的一侧的该基底中。

12.如权利要求11所述的光电二极管结构，其中该基底是P型基底。

13.如权利要求12所述的光电二极管结构，其中该掺杂区是N型掺杂区。

14.如权利要求13所述的光电二极管结构，其中该光电二极管还包括P型掺杂区于该掺杂区的表面。

15.如权利要求11所述的光电二极管结构，其中该些绝缘层是浅沟隔离。

16.如权利要求15所述的光电二极管结构，其中该些浅沟隔离靠近该掺杂区的一侧，还包括多个护环。

17.如权利要求11所述的光电二极管结构，其中该栅极包括掺杂多晶硅。

18.如权利要求11所述的光电二极管结构，其中该图案化多晶硅层包括掺杂多晶硅。

19.如权利要求18所述的光电二极管结构，其中该开口是埋藏接触窗。

20.如权利要求19所述的光电二极管结构，其中该图案化多晶硅层位于该开口的部分是接触插塞。