[发明专利]图像感测元件及其制作方法

权利要求书

1.一种图像感测元件的制作方法，包括:

提供基底；

于该基底内形成多个浅沟隔离，用以隔离并定义出多个有源区域，且该多个有源区域内分别包括光电二极管的光感测区；

进行局部硅氧化工艺，以于该光电二极管的光感测区内的基底表面分别形成局部硅氧化绝缘层，该局部硅氧化绝缘层完全覆盖该光电二极管的光感测区；

于该多个有源区域内分别形成晶体管的栅极，且该栅极覆盖部分该局部硅氧化绝缘层；以及

于该基底中形成多个掺杂区。

2.如权利要求1所述的方法，其中该浅沟隔离的制作方法包括:

于该基底表面形成图案化硬掩模层，用以定义该多个浅沟隔离的位置；

进行干蚀刻工艺，蚀刻未被该图案化硬掩模层覆盖的该基底，以形成多个浅沟；

进行化学气相沉积工艺，以于该基底表面形成第一介电层，且该第一介电层填满该多个浅沟；以及

进行平坦化工艺，去除该基底表面的该第一介电层。

3.如权利要求2所述的方法，还包括光刻暨蚀刻工艺，进行于该平坦化工艺之后，用以去除部分的该图案化硬掩模层，而于该多个有源区域内定义出该局部硅氧化绝缘层形成的位置。

4.如权利要求3所述的方法，还包括完全移除该图案化硬掩模层的步骤，进行于该局部硅氧化工艺之后。

5.如权利要求4所述的方法，还包括形成第二介电层的步骤，进行于完全移除该图案化硬掩模层之后，以于该基底表面形成该第二介电层。

6.如权利要求5所述的方法，其中部分该第二介电层也为该栅极所覆盖。

7.如权利要求6所述的方法，其中被该栅极所覆盖的该第二介电层与该局部硅氧化绝缘层是用以作为栅极绝缘层。

8.如权利要求2所述的方法，其中该多个浅沟的深度为3000至4000埃。

9.如权利要求1所述的方法，还包括于该光电二极管的光感测区内进行形成光电二极管的步骤，且该步骤包括:

进行轻离子注入工艺，以于该光电二极管的光感测区内形成轻掺杂层；以及

进行重离子注入工艺，以于该轻掺杂层上形成重掺杂层。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成该光电二极管的步骤进行于该局部硅氧化工艺之前。

11.如权利要求9所述的方法，其中形成该光电二极管的步骤进行于该局部硅氧化工艺之后与形成该栅极之前。

12.如权利要求9所述的方法，其中形成该光电二极管的步骤与形成该多个掺杂区的步骤同时进行。

13.如权利要求9所述的方法，其中该光电二极管是钳制型光电二极管。

14.如权利要求9所述的方法，其中该局部硅氧化绝缘层覆盖该光电二极管，且作为该光电二极管的保护层。

15.如权利要求1所述的方法，其中该局部硅氧化绝缘层的厚度为100-1000埃。

16.如权利要求1所述的方法，还包括于形成该局部硅氧化绝缘层后，于该基底表面形成介电层。

17.如权利要求16所述的方法，其中该介电层也为该栅极所覆盖，用以作为该栅极的栅极绝缘层。

18.如权利要求1所述的方法，其中被该栅极覆盖的该局部硅氧化绝缘层是用以作为该栅极的栅极绝缘层。

19.如权利要求1所述的方法，其中该掺杂区形成于该栅极未跨接于该局部硅氧化绝缘层的一侧的基底中。

20.如权利要求1所述的方法，其中该方法是用以制作4晶体管图像感测元件。

21.一种图像感测元件，包括:

基底；

浅沟隔离，用以定义出有源区域；

光电二极管，设置于该有源区域内的该基底中；

局部硅氧化绝缘层，完全覆盖该光电二极管的表面；

栅极，设置于该有源区域内的基底表面，且覆盖部分该局部硅氧化绝缘层；以及

掺杂区，设置于该基底中。

22.如权利要求21所述的图像感测元件，其中该浅沟隔离的深度为3000至4000埃。