[发明专利]影像感测元件及其制法

权利要求书

1.一种影像感测元件，包括：

基底；

光感测区，位于该基底中；

介电保护层，位于该光感测区上，以作为该光感测区的保护层；

栅极绝缘层，位于该基底上，邻接该介电保护层；

栅极，位于该栅极绝缘层上，其一侧跨至该介电保护层的一部分上；及

掺杂区，位于该基底中。

2.如权利要求1所述的影像感测元件，其中该光感测区包括感光层，及该介电保护层是位于该感光层上，以作为保护层。

3.如权利要求1所述的影像感测元件，其中该介电保护层包括多层介电层。

4.如权利要求3所述的影像感测元件，其中该多层介电层包括一层氧化硅层及一层氮化硅层位于该氧化硅层上。

5.如权利要求3所述的影像感测元件，其中该多层介电层包括交替堆栈的多层氧化硅层及多层氮化硅层。

6.如权利要求1所述的影像感测元件，还包括间隙壁位于该栅极的侧壁上。

7.如权利要求1所述的影像感测元件，其中该掺杂区是位于该栅极的另一侧的该基底中。

8.如权利要求1所述的影像感测元件，其中该栅极是位于被该光感测区包围的区域的基底上并以其侧边跨于该介电保护层的一部分上，及该掺杂区的一部分位于该栅极下方的该基底中。

9.如权利要求1所述的影像感测元件，其中该栅极是位于被该光感测区包围的区域的基底上并以其侧边跨于该介电保护层的一部分上，及该掺杂区是位于该栅极的另一侧的该基底中。

10.一种制造影像感测元件的方法，包括下列步骤：

提供基底，其包括光感测区于该基底中；

形成介电保护层于该光感测区上；

形成栅极绝缘层于该基底上并邻接该介电保护层；

形成栅极于该栅极绝缘层上并且使该栅极的一侧延伸至该介电保护层的一部分上；及

分别于该栅极的另一侧的该基底中形成掺杂区及于该光感测区形成感光层。

11.如权利要求10所述的方法，其中该形成介电保护层于该光感测区上的步骤，包括：

形成介电材料层于该基底上而覆盖该光感测区，及

通过光刻工艺及蚀刻工艺部分移除该介电材料层。

12.如权利要求10所述的方法，其中该形成介电保护层于该光感测区上的步骤形成多层介电层于该光感测区上。

13.如权利要求12所述的方法，其中该多层介电层包括一层氧化硅层及一层氮化硅层于该氧化硅层上。

14.如权利要求11所述的方法，其中该形成一介电材料层的步骤为形成一层氧化硅层及形成一层氮化硅层。

15.如权利要求14所述的方法，其中该通过光刻工艺及蚀刻工艺部分移除该介电材料层的步骤，包括：

形成光致抗蚀剂图案，其中该光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂层覆盖住该光感测区；

进行干蚀刻以移除该氮化硅层；

进行湿蚀刻以移除该氧化硅层；及

将该光致抗蚀剂图案移除。

16.如权利要求11所述的方法，其中该形成介电材料层的步骤为交替进行多次形成一层氧化硅层及形成一层氮化硅层的步骤。

17.如权利要求10所述的方法，于形成栅极绝缘层于该基底上并邻接该介电保护层的步骤之前，进一步于该基底中形成阱。

18.如权利要求10所述的方法，其中该于该栅极的另一侧的该基底中形成掺杂区及于该光感测区形成感光层的步骤，包括：

以轻离子注入工艺于该基底中形成一轻掺杂区，及于该光感测区形成轻掺杂层；

于该栅极的侧壁形成间隙壁；及

以重离子注入工艺于该间隙壁的一侧的该轻掺杂区上部，形成重掺杂区，及于该轻掺杂层上部形成一重掺杂层。