[发明专利]超宽频的送收开关及其中隔离传送与接收信号的方法

权利要求书

1.一种超宽频的送收开关，包括：

第一开关，该第一开关具有第一端、第二端、以及控制端，该第一开关的该第一端耦接至信号传送端，该第一开关的该第二端耦接至信号送收端，并且该第一开关的控制端接收第一控制信号，以依据该第一控制信号决定是否导通该第一开关；

第二开关，该第二开关具有第一端、第二端、以及控制端，该第二开关的该第一端耦接至信号接收端，该第二开关的该第二端耦接至该信号送收端，并且该第二开关的控制端接收第二控制信号，以依据该第二控制信号决定是否导通该第二开关；以及

电感，该电感的其中一端耦接该信号送收端，而该电感的另一端耦接第一电位。

2.根据权利要求1所述的超宽频的送收开关，其中该第二控制信号为该第一控制信号的反相。

3.根据权利要求2所述的超宽频的送收开关，还包括反相装置，将该第一控制信号反相，以获得该第二控制信号。

4.根据权利要求3所述的超宽频的送收开关，其中该反相装置包括反相器，该反相器的输入端耦接至该第一控制信号，该反相器的输出端输出该第二控制信号。

5.根据权利要求4所述的超宽频的送收开关，其中该反相装置还包括：

第一电阻，该第一电阻的其中一端耦接至该第一控制信号，并且该第一电阻的另一端耦接至该反相器的输入端；

第二电阻，该第二电阻的其中一端耦接至该反相器的输入端，并且该第二电阻的另一端耦接至该第一开关的控制端；以及

第三电阻，该第三电阻的其中一端耦接至该反相器的输出端，并且该第三电阻的另一端耦接至该第二开关的控制端。

6.根据权利要求1所述的超宽频的送收开关，其中该第一开关包括NMOS晶体管，并且该NMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第一开关的该第一端与该第二端，该NMOS晶体管的栅极端为该第一开关的该控制端。

7.根据权利要求6所述的超宽频的送收开关，其中该第二开关包括NMOS晶体管，并且该NMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第二开关的该第一端与该第二端，该NMOS晶体管的栅极端为该第二开关的该控制端。

8.根据权利要求1所述的超宽频的送收开关，其中该第一开关包括PMOS晶体管，并且该PMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第一开关的该第一端与该第二端，该PMOS晶体管的栅极端为该第一开关的该控制端。

9.根据权利要求8所述的超宽频的送收开关，其中该第二开关包括PMOS晶体管，并且该PMOS晶体管的二个源/漏极端分别为该第二开关的该第一端与该第二端，该PMOS晶体管的栅极端为该第二开关的该控制端。

10.根据权利要求1所述的超宽频的送收开关，其中该信号送收端耦接至天线。

11.根据权利要求1所述的超宽频的送收开关，其中该第一电位为接地电压。

12.一种超宽频的送收开关，包括：

第一晶体管，具有第一端、第二端、以及控制端，该第一晶体管的该第一端耦接至信号传送端，该第一晶体管的该第二端耦接至信号送收端；

第二晶体管，具有第一端、第二端、以及控制端，该第二晶体管的该第一端耦接至信号接收端，该第二晶体管的该第二端耦接至该信号送收端；

控制装置，耦接于该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端之间，该控制装置接收控制信号，并依据该控制信号导通该第一晶体管与该第二晶体管其中之一，

其中，当该第一晶体管导通而使该信号传送端传送输出信号时，该控制装置将该第二晶体管的控制端耦接至接地电压，以使该第二晶体管可通过其本身的寄生电容而将欲窜过该第二晶体管至该信号接收端的该输出信号通过该第二晶体管的控制端传导至接地电压，当该第二晶体管导通而使该信号接收端接收输入信号时，该控制装置将该第一晶体管的控制端耦接至接地电压，以使该第一晶体管可通过其本身的寄生电容而将欲窜过该第一晶体管至该信号传送端的该输入信号通过该第一晶体管的控制端传导至接地电压；以及

电感，该电感的其中一端耦接该信号送收端，而该电感的另一端耦接至接地电压。