[发明专利]具有硅化物层的接触结构、使用其的半导体器件、以及制造该接触结构和半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610077873.8 | 申请日： | 2006-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1933141A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 朴济民;金炳鈗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/485;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 硅化物层 接触 结构 使用 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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