[发明专利]运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法有效
申请号: | 200610078173.0 | 申请日: | 2006-04-28 |
公开(公告)号: | CN101064248A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 欧俊尧;郑华琦;萧名男;庄博全;王朝仁 | 申请(专利权)人: | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;H01L21/336 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄健 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运用 金属 元素 化合物 先驱 溶液 制作 主动 薄膜 方法 | ||
1、一种运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,其步骤包括:
合成先驱物,其中该先驱物是含有苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的化合物;
将该先驱物溶于溶剂中,以制备成先驱物溶液;
利用涂布方式将该先驱物溶液涂布于基板上;及
将该基板干燥后进行固化流程以在基板上形成主动层薄膜;
其中,所述含有苯甲基或其衍生物和金属-硫系元素的化合物的分子式通式为:(R1,R2,R3,R4,R5-C6H3-CH2-)nh-2iMhXi,其中:
R1、R2、R3、R4及R5为各自独立的官能团;
M表示带n价正电的金属离子,价数为1至6的整数;
X表示硫系元素;
h为1至10的整数;及
i为0至30的整数。
2、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述官能团为选自氢原子、芳香族基团、酯团、醚基、羧酸基、磺酸基、醛基、羟基、酮基、亚胺基、酰胺基、甲基、乙基和含3至6个碳的分支或环状脂肪族链其中之一的官能团。
3、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述金属离子为锗、锑、锡、铅、铋、镓、铟或铊。
4、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述先驱物溶液通过添加硫属元素或化合物,以调整该先驱物溶液中的金属离子与硫系元素的摩尔比。
5、如权利要求4所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述硫属元素为硫系元素的硫、硒或碲,或硫、硒、碲的混合物。
6、如权利要求4所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述硫属化合物为含硫、硒或碲的化合物,或含硫、硒或碲化合物的混合物。
7、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述溶剂为芳香族类、脂肪族类、酯类、酮类、醇类、酰胺类、胺类、亚胺类、磺胺类或这些溶剂的混合物。
8、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述涂布方式为旋转涂布、滚轮涂布、喷墨涂布、狭缝涂布、网印或压印的方式,以将所述先驱物溶液直接在基板上进行无图案的整体涂布。
9、如权利要求8所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,在所述无图案的整体涂布过程后,所进行的固化流程是利用掩膜搭配激光或紫外光曝光固化来直接固化出所需图案的区域,并进而利用显影剂除去未固化的金属-硫系元素化合物先驱物。
10、如权利要求8所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,在所述无图案的整体涂布过程后,所进行的固化流程是利用光固化或热固化方式来固化整体涂布的区域。
11、如权利要求10所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所固化的整体涂布区域再利用光刻胶及蚀刻方法来除去不需要的金属-硫系元素化合物先驱物,以获得所需的图案区域。
12、如权利要求1所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,所述涂布方式为滚轮涂布、喷墨涂布、网印或压印的方式,以将先驱物溶液直接在基板上进行有图案的涂布。
13、如权利要求12所述的运用金属-硫系元素化合物的先驱物溶液制作主动层薄膜的方法,其特征在于,在所述有图案的涂布过程后,所进行的固化流程是利用激光直接固化已有的图案区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司,未经台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造