[发明专利]非挥发性记忆体及其制作方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆体的制作方法，包括：

于一基底中形成二开口；

于该二开口之间的该基底上形成一堆叠闸极结构，其中该堆叠闸极结构包括一第一介电层、一电荷储存层、一第二介电层与第一导体层；

于该二开口底部及侧壁形成一衬层，其中该衬层的顶部表面低于该基底的顶部表面；

于该二开口底部的该衬层上形成一第二导体层，其中该第二导体层的顶部表面与该衬层的顶部表面共平面；以及

于该第二导体层与该衬层上形成一第三导体层，其中该第三导体层的顶部表面至少与该基底的顶部表面共平面，且低于该第一介电层的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该衬层的形成方法包括原位蒸汽生成(in-situ steam generated，ISSG)法或化学气相沉积法。

3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该衬层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第二导体层的材质包括掺杂多晶硅。

5.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第三导体层的形成方法包括：

于该基底上方形成一导体材料层，以至少填满该二开口；以及

移除部分该导体材料层，直至该导体材料层的顶部表面至少与该基底的顶部表面共平面，且低于该第一介电层的顶部表面。

6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第三导体层的材质包括掺杂多晶硅。

7.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该电荷储存层的材质包括氮化硅。

8.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该电荷储存层的材质包括多晶硅。

9.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该电荷储存层的材质包括掺杂多晶硅。

10.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第一介电层的材质包括氧化硅。

11.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第二介电层的材质包括氧化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅。

12.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第一导体层的材质包括多晶硅。

13.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的制作方法，其中该第一导体层的材质包括掺杂多晶硅。

14.一种非挥发性记忆体，包括：

一基底，该基底中具有二开口；

一堆叠闸极结构，位于该二开口之间的该基底上，其中该堆叠闸极结构包括由该基底往上依序是一第一介电层、一电荷储存层、一第二介电层与一第一导体层；

一衬层，位于该二开口底部以及部分侧壁，该衬层的顶部表面低于该基底的顶部表面；

一第二导体层，位于该二开口底部的该衬层上，且该第二导体层的顶部表面与该衬层的顶部表面共平面；以及

一第三导体层，位于该第二导体层与该衬层上，其中该第三导体层的顶部表面至少与该基底的顶部表面共平面，且低于该第一介电层的顶部表面。

15.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该第二导体层的材质包括掺杂多晶硅。

16.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该第三导体层的材质包括掺杂多晶硅。

17.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该衬层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

18.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该电荷储存层的材质包括氮化硅。

19.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该电荷储存层的材质包括多晶硅。

20.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该电荷储存层的材质包括掺杂多晶硅。

21.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该第一介电层的材质包括氧化硅。

22.根据权利要求14所述的非挥发性记忆体，其中该第二介电层的材质包括氧化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅。