[发明专利]制造薄膜图案层的方法无效

专利信息
申请号: 200610080401.8 申请日: 2006-05-09
公开(公告)号: CN101071273A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 周景瑜 申请(专利权)人: 虹创科技股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/16;G03F7/26;G02B5/23
代理公司: 北京申翔知识产权代理有限公司 代理人: 周春发
地址: 台湾省新竹科学工业园*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 薄膜 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种制造薄膜图案层的方法,其包括以下步骤:

提供一基板,并采用光阻材料以光阻涂布、曝光、显影方式在基板上形成若干挡墙,该若干挡墙间形成若干收容空间;

利用等离子装置清洗该基板表面;

利用喷墨装置将墨水注入该若干收容空间中;

固化该墨水形成薄膜图案层。

2.如权利要求1所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的在基板上形成若干挡墙的步骤包括以下分步骤:

在该基板上表面涂布一光阻材料层;

将具有预定挡墙图案的光罩设于该光阻材料层与一曝光机光源间,并曝光该光阻材料层;

利用显影方式将非挡墙图案部分的光阻材料层去除,形成设于基板上表面的若干挡墙。

3.如权利要求1或2所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的光阻材料为用来制造黑矩阵的感光材料。

4.如权利要求1所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的在基板上形成若干挡墙的步骤包括以下分步骤:

在该基板上表面涂布一第一光阻材料层;

将具有预定黑矩阵图案的第一光罩设于该第一光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第一光阻材料层;

利用显影方式将非黑矩阵图案部分的第一光阻材料层去除,形成设立于基板上表面的若干黑矩阵。

在第一光阻材料层上表面涂布一第二光阻材料层;

将具有预定挡墙图案的第二光罩设于该第二光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第二光阻材料层;

利用显影方式将非挡墙图案部分的第二光阻材料层去除,形成设立于基板上表面的若干挡墙。

5.如权利要求1所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的在基板上形成若干挡墙的步骤包括以下分步骤:

在该基板上表面涂布一第一光阻材料层;

将具有预定黑矩阵图案的第一光罩设于该第一光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第一光阻材料层;

在第一光阻材料层上表面涂布一第二光阻材料层;将

具有预定挡墙图案的第二光罩设于该第二光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第二光阻材料层;

利用显影方式将非黑矩阵图案部分的第一光阻材料层及非挡墙图案部分的第二光阻材料层去除,形成设立于基板上表面的若干黑矩阵及挡墙。

6.如权利要求4或5所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的第一光阻材料为用来制造黑矩阵的感光材料。

7.如权利要求1项所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的在基板上形成若干挡墙的步骤包括以下分步骤:

在该基板的上表面以蒸镀或溅镀方式形成一薄膜层;

在该薄膜层上表面涂布一光阻材料层;

将具有预定收容空间的挡墙图案的光罩设置于该光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该光阻材料层;

依序利用显影及蚀刻方式将非挡墙图案部分的光阻材料层及该薄膜层去除,形成设立于基板上表面的若干挡墙。

8.如权利要求1所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:所述的在基板上形成若干挡墙的步骤包括以下分步骤:

在该基板的上表面以蒸镀或溅镀方式形成一薄膜层;

在该薄膜层上表面涂布一第一光阻材料层;

将具有预定黑矩阵图案的第一光罩设于该第一光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第一光阻材料层;

依序利用显影及蚀刻方式将非黑矩阵图案部分的第一光阻材料层及该薄膜层去除;

完全去除剩下的该第一光阻材料层;

在该薄膜层上表面涂布一第二光阻材料层;

将具有预定挡墙图案的第二光罩设于该第二光阻材料层与曝光机光源间,并曝光该第二光阻材料层;

利用显影方式将非挡墙图案部分的第二光阻材料层去除,形成设立于基板上表面的若干挡墙。

9.如权利要求1、2、4、5、7或8所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:在涂布制程后进一步包括一干燥制程,将该光阻中的溶剂挥发。

10.如权利要求1、2、7或8所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:在显影制程后进一步包括一加热制程,将该若干挡墙进行进一步固化。

11.如权利要求4或5所述的制造薄膜图案层的方法,其特征在于:在显影制程后进一步包括一加热制程,将该若干黑矩阵及挡墙进行进一步固化。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于虹创科技股份有限公司,未经虹创科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610080401.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top