[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
申请号: | 200610081823.7 | 申请日: | 2006-05-12 |
公开(公告)号: | CN101071831A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 李亚儒;徐大正;金明达;陈彦文;骆武聪;李仲渊;谢明勋 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件,包括:
半导体基板,具有上表面,且具有垂直于该上表面的既定晶格方向,其中该既定晶格方向包含自[100]朝向[011]、[100]朝向[011]、[100]朝向[011]或[100]朝向[011]倾斜的角度,使该上表面包含至少二晶面,且此二晶面的晶面方向不同;以及
多层外延结构,设置于该半导体基板上,其中该多层外延结构具有上表面,该上表面为粗化表面且与该既定晶格方向垂直。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该多层外延结构包括:n型半导体层、p型半导体层、以及介于所述n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。
3.如权利要求2所述的半导体发光元件,其中该n型或p型半导体层包括III-V族半导体材料。
4.如权利要求3所述的半导体发光元件,其中该n型或p型半导体层包括磷化铝镓铟或砷化铝镓。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该半导体基板包括III-V族半导体材料。
6.如权利要求5所述的半导体发光元件,其中该半导体基板包括磷化砷镓、砷化镓或磷化镓。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该倾斜角度在6至55度的范围。
8.如权利要求7所述的半导体发光元件,其中该倾斜角度为15度。
9.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该多层外延结构的粗化上表面的粗化深度不小于0.05微米。
10.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该多层外延结构的粗化上表面的粗化深度范围为0.05至1微米之间。
11.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该多层外延结构的上表面与该半导体基板的上表面具有相同的表面形貌。
12.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该晶格方向以III-族原子为其单位晶胞的(0,0,0)位置为原点。
13.一种半导体发光元件的制造方法,包括:
提供半导体基板,其具有垂直该半导体基板的上表面的既定晶格方向,其中该既定晶格方向包含自[100]朝向[011]、[100]朝向[011]、[100]朝向[011]、或[100]朝向[011]倾斜的角度,使该半导体基板的上表面具有至少两种晶面,且此二晶面的晶面方向不同;
在该半导体基板上形成多层外延结构;以及
进行蚀刻以粗化该半导体基板上的该多层外延结构的上表面。
14.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该多层外延结构包括:n型半导体层、p型半导体层、以及介于所述n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。
15.如权利要求14所述的半导体发光元件的制造方法,其中该n型或p型半导体层包括III-V族半导体材料。
16.如权利要求15所述的半导体发光元件的制造方法,其中该n型或p型半导体层包括磷化铝镓铟或砷化铝镓。
17.如权利要求12所述的半导体发光元件的制造方法,其中该半导体基板包括III-V族半导体材料。
18.如权利要求17所述的半导体发光元件的制造方法,其中该半导体基板包括磷化砷镓、砷化镓或磷化镓。
19.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该晶格方向以III-族原子为其单位晶胞的(0,0,0)位置为原点。
20.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该倾斜角度在6至55度的范围。
21.如权利要求20所述的半导体发光元件的制造方法,其中该倾斜角度为15度。
22.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该多层外延结构的上表面与该半导体基板的上表面具有相同的表面形貌。
23.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该多层外延结构的上表面粗化深度不小于0.05微米。
24.如权利要求13所述的半导体发光元件的制造方法,其中该多层外延结构的上表面粗化深度范围为0.05至1微米之间。
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