[发明专利]宽频低噪声放大器无效
申请号: | 200610082133.3 | 申请日: | 2006-05-24 |
公开(公告)号: | CN101079596A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 季向容 | 申请(专利权)人: | 金桥科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F1/26 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾台北深坑*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽频 低噪声放大器 | ||
1、一种低噪声放大器,包括用以接收特定频段范围的射频讯号的一天线、与该天线相连接用以滤除该射频讯号中的噪声的一LC滤波器,以及与该LC滤波器相连接用以放大该射频讯号的一第一级低噪声放大电路,其特征在于:该低噪声放大器进一步包括:
一耦合电路与该第一级低噪声放大电路相连接,用以耦合经该第一级低噪声放大电路放大处理后的该射频讯号至下一连接端;
一第二级低噪声放大电路与该耦合电路相连接,用以再次放大该射频讯号;以及
一射频阻隔电路与该第一级和第二级低噪声放大电路相连接,以阻隔该低噪声放大器内部电路所产生的高频噪声。
2、如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于该LC滤波器具有一电感和一电容,用以滤除夹带于射频讯号中的噪声,该电感和电容相互串联。
3、如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于该第一级低噪声放大电路和第二级低噪声放大电路分别具有一晶体管,用以进行该射频讯号的放大处理。
4、如权利要求3所述的低噪声放大器,其特征在于该晶体管为双载子接面晶体管。
5、如权利要求3所述的低噪声放大器,其特征在于该晶体管为场效晶体管。
6、如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于该耦合电路利用电容耦合该射频讯号。
7、如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于该射频阻隔电路利用电感和电容的组合电路,用以阻隔内部电路所产生的高频噪声。
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