[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 200610082908.7 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093827A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 林峰立 | 申请（专利权）人： | 启萌科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L25/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
1、一种发光二极管封装结构，用以发出一目标波峰波长，其特征在于其包括：
一承载体；
一第一晶粒，设置于该承载体，该第一晶粒的发光具有一第一波峰波长，该第一波峰波长大于该目标波峰波长；以及
一第二晶粒，设置于该承载体，该第二晶粒的发光具有一第二波峰波长，该第二波峰波长小于该目标波峰波长，该第一波峰波长与该第二波峰波长属于同一色系。
2、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的承载体为一基板或一导线架。
3、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第一晶粒与该第二晶粒同时或不同时发光。
4、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
5、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于30nm。
6、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值，不等于或等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。
7、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第一晶粒与该第二晶粒的发光强度不同。
8、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的目标波峰波长约介于615nm至650nm之间、约介于515nm至555nm之间或约介于455nm至485nm之间。
9、根据权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于其更包括：
一第三晶粒，其具有一第三波峰波长，该第一波峰波长、该第二波峰波长以及该第三波峰波长属于该色系。
10、根据权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第三波峰波长大于该第一波峰波长，该第三波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。
11、根据权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的第三波峰波长小于该第二波峰波长，该第一波峰波长与该第三波峰波长的差值小于50nm。
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