[发明专利]共享参考输入的信号耦合电路及方法有效
申请号: | 200610083019.2 | 申请日: | 2006-05-25 |
公开(公告)号: | CN101079417A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 陈建宏 | 申请(专利权)人: | 晨星半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H03M1/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 共享 参考 输入 信号 耦合 电路 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种耦合信号的方法及其电路,尤其涉及一种共享参考信号的耦合方法及其电路。
背景技术
集成电路元件(IC)在处理信号时,由于元件内部所需要的电压准位通常与元件外部的电压准位不同,所以经常利用电容耦合的方式,将信号的交流成分耦合至元件内部,之后再依据各种应用状况而调整所需的电压准位。在耦合信号的同时,如果能将该信号的参考信号同时耦合至同一元件,则可以增加元件抗噪声的效果。如图1所示,图1为现有信号耦合电路的示意图。集成电路元件100包含有处理电路115,其正输入端接收输入信号,而负输入端则接收该输入信号的参考信号。输入信号sig_A、sig_B、sig_C分别通过电容121、122、123耦合至集成电路元件100,集成电路元件100还包含多工器(MUX)130,连接于电容121、122、123与处理电路115之间,用来从sig_A、sig B、sig_C三个信号的中择一输出至处理电路115。同样地,分别对应于sig_A、sig_B、sig_C的参考信号ref_A、ref_B、ref_C分别通过电容124、125、126耦合至集成电路元件100,且连接于电容124、125、126与处理电路115之间的多工器131用来从ref_A、ref_B、ref_C三个参考信号中择一输出至处理电路115。举例来说,当处理电路115准备对sig_B进行处理时,多工器130选择将sig_B输出至处理电路115的正输入端,并且多工器131同时选择将sig_B的参考信号ref_B输出至处理电路115的负输入端。然而,当输入信号的个数增加时,就必须新增相同数目且相对应的参考信号,然而如此一来,集成电路元件100就必须有更多的脚位,同时电路板上也需要更多的耦合电容,无形中增加许多电路成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种信号的耦合电路及其方法,利用共同的参考输入来达到减少元件脚位以及耦合电容的目的。
为实现上述目的,本发明公开一种信号耦合电路,用来将模拟输入信号耦合至一处理电路,该信号耦合电路包含有多个第一耦合单元以及一第二耦合单元。该多个第一耦合单元耦接于该处理电路的一第一输入端,分别用来接收不同的输入信号,该第一耦合单元为电容器。该第二耦合单元耦接于该处理电路的一第二输入端,用来接收一共享参考信号,其中该处理电路参考该共享参考信号来处理该输入信号的部分或全部。
本发明另公开一种信号耦合电路,用来将模拟输入信号耦合至一第一处理电路与一第二处理电路,该信号耦合电路包含有至少一第一耦合单元、至少一第二耦合单元以及一第三耦合单元。该第一耦合单元耦接于该第一处理电路的一第一输入端,用来接收至少一第一输入信号;该第二耦合单元耦接于一第二处理电路的一第一输入端,用来接收至少一第二输入信号;以及该第三耦合单元耦接于该第一处理电路的一第二输入端与该第二处理电路的一第二输入端,用来接收一共享参考信号。该第一、第二处理电路参考该共享参考信号来处理该第一、第二输入信号。该第一耦合单元、该第二耦合单元以及该第三耦合单元为电容器。
而且,为实现上述目的,本发明另公开一种将模拟输入信号耦合至一处理电路的方法,包含有:利用多个第一耦合单元来分别接收不同的输入信号,该第一耦合单元为电容器以去除该输入信号中直流成分;将该输入信号耦合至该处理电路的一第一输入端;利用一第二耦合单元来接收一参考信号;以及将该参考信号耦合至该处理电路的一第二输入端,其中该处理电路参考该参考信号来处理该输入信号的部分或全部。
本发明另公开一种将模拟输入信号耦合至一第一处理电路与一第二处理电路的方法,包含有:利用至少一第一耦合单元来接收至少一第一输入信号,并将该第一输入信号耦合至该第一处理电路的一第一输入端;利用至少一第二耦合单元来接收至少一第二输入信号,并将该第二输入信号耦合至该第二处理电路的一第一输入端;以及利用一第三耦合单元来接收一参考信号,并将该参考信号耦合至该第一处理电路的一第二输入端与该第二处理电路的一第二输入端;其中,该第一、第二处理电路参考该参考信号来处理该第一、第二输入信号。该第一耦合单元、该第二耦合单元以及该第三耦合单元为电容器,以去除接收的信号中直流成分。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有信号耦合电路的示意图;
图2为本发明第一实施例的信号耦合电路示意图;
图3为本发明第二实施例的信号耦合电路示意图;
图4为本发明第三实施例的信号耦合电路示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的