[发明专利]竖直型功率LED及水平型功率LED的热辐射结构有效

专利信息
申请号: 200610083368.4 申请日: 2006-06-06
公开(公告)号: CN101086328A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 黃仁赫 申请(专利权)人: 木山电子株式会社
主分类号: F21V29/00 分类号: F21V29/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 杨生平;杨红梅
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 竖直 功率 led 水平 热辐射 结构
【权利要求书】:

1.一种竖直型功率LED,其通过将LED元件安装在灯型LED上并封装安装有所述LED元件的所述灯型LED而获得,该竖直型功率LED包括:

第一引线框架,具有内置有LED元件的杯形凹槽,经由导线连接到所述LED元件以便从外部为所述LED元件供电,并具有用于增大热辐射速度的至少一个热辐射通孔;

第二引线框架,经由导线连接到所述LED元件以便从外部为所述LED元件供电,并设置成与所述第一引线框架相对;及

模制部,通过用透明材料为所述第一和第二引线框架的上部制模以便包含所述LED元件而形成,

其中所述第一和第二引线框架中的每个在侧面设有交角为50°至70°且深度为0.3mm至0.7mm的第一槽口,并且在正面或背面设有交角为80°至90°且深度为0.01mm至0.1mm的第二槽口,使得从所述模制部伸出的所述第一和第二引线框架的部分可连同所述第一和第二槽口一起容易地在水平方向上弯曲。

2.如权利要求1的竖直型功率LED,其中从所述模制部伸出的所述第一和第二框架在与所述LED元件的发光方向垂直的方向上弯曲,以便自由调整从所述LED元件向前发射的光的定向角。

3.如权利要求1或2的竖直型功率LED,其中所述第一和第二引线框架由铝或铜制成。

4.一种水平型功率LED的热辐射结构,该水平型功率LED获得自通过将LED元件安装在灯型LED上并封装安装有所述LED元件的所述灯型LED而获得的竖直型功率LED,该热辐射结构包括:

第一引线框架,具有内置有LED元件的杯形凹槽,经由导线连接到所述LED元件以便从外部为所述LED元件供电,并具有用于增大热辐射速度的至少一个热辐射通孔;

第二引线框架,经由导线连接到所述LED元件以便从外部为所述LED元件供电,并设置成与所述第一引线框架相对;

模制部,通过用透明材料为所述第一和第二引线框架的上部制模以形成包含所述LED元件的透镜而形成;以及

热沉,固定于伸出到所述模制部外并且分别朝正方向和反方向弯曲的所述第一和第二引线框架的端部,用于将所述LED元件所产生的热辐射到外部。

5.如权利要求4的热辐射结构,其中所述第一和第二引线框架中的每个在侧面设有交角为50°至70°且深度为0.3mm至0.7mm的第一槽口,并且在正面或背面设有交角为80°至90°且深度为0.01mm至0.1mm的第二槽口,且其中所述第一和第二框架中的每个连同所述第一和第二槽口一起弯曲。

6.如权利要求4的热辐射结构,其中所述第一和第二引线框架由铝或铜制成。

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