[发明专利]晶片封装体与用以制造具有胶层的晶片的晶圆处理方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种在晶圆上完成集成电路(integrated circuit)之后的晶圆处理技术，且特别是有关于一种晶片封装体(chip package)及用以制造具有胶层的晶片(adhesive chip)的晶圆处理方法。

背景技术

在半导体晶圆(semiconductor wafer)上制造集成电路之后，切割半导体晶圆以形成出多个晶片，且这些晶片根据多种封装方式而粘着至适当的IC基板上，或者一晶片粘着至另一晶片上，以形成多晶片堆叠。举例而言，晶片粘着至印刷电路板上，以形成球状栅格阵列(BGA)封装体。或者，晶片粘着至晶片垫或导线架(lead frame)的内引脚上，以形成薄型小尺寸封装(TSOP)体。此外，用于粘着晶片的现有习知胶层通常为热固性银的液态混合物或固态聚酰亚胺胶带，且在粘着晶片的制程中，此现有习知胶层涂布至承载器上，而承载器例如是基板、导线架或下晶片。

美国专利第2001/0005935号所揭示的组装多晶片模组的方法为使用晶片粘着机将较大晶片粘着至基板上，然后在不使用晶片粘着机的情况下将较小的晶片固定至较大的晶片上。在现有习知技术中，粘着较大晶片及较小晶片的胶层为液态热固性胶层或固态聚酰亚胺带。然而，此专利未能揭示涂布胶层的程序，也就是在晶片粘着及导线接合程序之前，首先在较小晶片上或在较大晶片上涂布胶层。一方面，当液态热固性胶层用于未与导线接合的晶片时，液态热固性胶层难以预涂布在较小晶片(上晶片)上，且由于液态热固性胶层的流动，因此液态热固性胶层易于污染较大晶片(下晶片)的接垫(bonding pad)。另一方面，在导线接合之后涂布液态胶层时，由于印刷网板无法置放在具有接线的较大晶片(或基板)上，因此胶层必须在导线接合之前涂布至较大晶片上。因此，此种多晶片封装过程的限制相当多，从而导致不易于封装。此外，固态胶带亦可用于晶片粘着，但胶带的成本高且胶带必须为双面胶层才能用于晶片-晶片(chip-chip)、晶片-基板(chip-substrate)或晶片-导线架(chip-lead frame)的接合。在现有习知技术中，首先胶带以预定图案粘着至基板(导线架或较大晶片)上，接着将晶片接合在胶带上。切割晶圆所形成晶片便不具有胶层。

发明内容

因此，本发明提出一种用以制造具有胶层(adhesive layer)的晶片的晶圆处理方法。制造具有胶层的晶片的晶圆处理方法主要是在晶圆上印刷具有两阶特性的液态胶层(liquid adhesive)。具有两阶特性的印刷胶层在室温(B阶条件)下经预固化将变为固态、非可流动与不具有粘性的。接着，在切割晶圆之后，将形成具有B阶胶层的多数个晶片，以降低形成胶层的成本。

本发明提出一种晶片封装体，其在承载器与晶片之间配置胶层，因此将易于制造出晶片-基板，或晶片-导线架封装体结构。

本发明提出一种晶片封装体，其在两个晶片之间配置胶层，因此将易于制造出晶片-晶片封装体结构。

依据用以制造本发明的具有胶层的晶片的晶圆处理方法，其包括下列步骤。首先，提供具有集成电路的半导体晶圆。此晶圆例如具有主动表面(active surface)或非主动表面(inactive surface)的平坦表面。然后，在晶圆的部分或整个表面上均匀涂布具有两阶特性的液态胶层。接着，通过加热或紫外线而预固化晶圆，以使得具有两阶特性的胶层变为具有B阶特性的粘合膜。接着，提供定位带(positioning tape)，且定位带与粘合膜接触，以定位晶圆。此后，依据定位带切割晶圆，以形成具有粘合膜的多数个晶片。

根据本发明的一实施例，提出一种晶片封装体。晶片封装体包括一承载器、一第一晶片、一第一胶层及一封装胶体(molding compound)。第一晶片配置于承载器上，并与承载器电性连接。第一胶层配置于承载器与第一晶片之间，其中第一胶层的面积不大于第一晶片的面积。封装胶体配置于承载器上，以覆盖第一晶片。

根据本发明的一实施例，晶片封装体更包括多数条第一接线(bondingwire)，其电性连接承载器及第一晶片。

根据本发明的一实施例，第一胶层(adhesive layer)可为具有B阶特性的一粘合膜。

根据本发明的一实施例，晶片封装体更包括一第二胶层及一第二晶片，其中第二胶层配置于第一晶片上。第二晶片配置于第二胶层上，其中第二胶层的面积不大于第二晶片的面积，且第二晶片与承载器电性连接。

根据本发明的一实施例，晶片封装体更包括多数条第二接线，其电性连接承载器及第二晶片，且封装胶体覆盖第二接线及第二晶片。举例而言，第二胶层覆盖第一接线的一部分。