[发明专利]用于在非易失性存储器器件中产生提升电压的电路无效
| 申请号： | 200610083682.2 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1921012A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 郑象和 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 器件 产生 提升 电压 电路 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610083682.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：连接器、连接器组件及其组装方法
- 下一篇：燃料电池发电系统
