[发明专利]制作栅极与蚀刻导电层的方法

权利要求书

1.一种制作栅极的方法，其包括下列步骤：

提供基底，该基底表面依序包括介电层与导电层；

于该导电层上形成图案化硬掩模，且该图案化硬掩模包括氢含量高于每立方厘米1E 22原子的氮硅化合物；

利用该图案化硬掩模当作掩模来蚀刻该导电层与该介电层；以及

利用蚀刻溶液去除该图案化硬掩模。

2.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该基底包括半导体晶片或硅覆绝缘基底。

3.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该图案化硬掩模的氮硅化合物还包括30至80原子百分比的硅、20至70原子百分比的氮及0至10原子百分比的氧。

4.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该介电层包括硅氧化合物。

5.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该导电层包括多晶硅。

6.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中形成该图案化硬掩模的步骤包括：

于该导电层上依序形成氮硅层与光致抗蚀剂层；

对该光致抗蚀剂层进行曝光暨显影工艺，以使该光致抗蚀剂层成为图案化光致抗蚀剂层；

利用该图案化光致抗蚀剂层当作掩模蚀刻该氮硅层，以使该图案化光致抗蚀剂层的图案转移至该氮硅层，成为图案化氮硅层；以及

去除该图案化光致抗蚀剂层。

7.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该图案化硬掩模还包括硅氧化合物。

8.如权利要求7所述的制作栅极的方法，其中形成该图案化硬掩模的步骤包括：

于该导电层上依序形成氮硅层、硅氧层与图案化光致抗蚀剂层；

利用该图案化光致抗蚀剂层当作掩模蚀刻该硅氧层与该氮硅层，以使该图案化光致抗蚀剂层的图案转移至该硅氧层与该氮硅层，分别成为图案化硅氧层与图案化氮硅层；以及

去除该图案化光致抗蚀剂层。

9.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该蚀刻溶液至少包括磷酸。

10.如权利要求1所述的制作栅极的方法，其中该蚀刻溶液的温度大于60℃，小于155℃。

11.一种蚀刻导电层的方法，其包括下列步骤：

提供基底，该基底表面依序包括介电层与导电层；

于该导电层上形成图案化氮硅层，且该图案化氮硅层的氢含量高于每立方厘米1E 22原子；

利用该图案化氮硅层当作掩模来蚀刻该导电层与该介电层；以及

利用蚀刻溶液去除该图案化氮硅层。

12.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中该基底包括半导体晶片或硅覆绝缘基底。

13.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中该图案化氮硅层还包括30至80原子百分比的硅、20至70原子百分比的氮及0至10原子百分比的氧。

14.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中该介电层包括硅氧化合物。

15.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中该导电层包括多晶硅。

16.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中形成该图案化氮硅层的步骤包括：

于该导电层上依序形成氮硅层与光致抗蚀剂层；

对该光致抗蚀剂层进行曝光暨显影工艺，以使该光致抗蚀剂层成为图案化光致抗蚀剂层；

利用该图案化光致抗蚀剂层当作掩模蚀刻该氮硅层，以使该图案化光致抗蚀剂层的图案转移至该氮硅层，成为该图案化氮硅层；以及

去除该图案化光致抗蚀剂层。

17.如权利要求11所述的蚀刻导电层的方法，其中形成该图案化氮硅层的步骤还包括于该图案化氮硅层表面上形成图案化硅氧层，该图案化氮硅层与该图案化硅氧层构成图案化硬掩模。

18.如权利要求17所述的蚀刻导电层的方法，其中形成该图案化硬掩模的步骤包括：

于该导电层上依序形成氮硅层、硅氧层与图案化光致抗蚀剂层；

利用该图案化光致抗蚀剂层当作掩模蚀刻该硅氧层与该氮硅层，以使该图案化光致抗蚀剂层的图案转移至该硅氧层与该氮硅层，分别成为该图案化硅氧层与该图案化氮硅层；以及

去除该图案化光致抗蚀剂层。