[发明专利]电子发射源及应用其的场发射显示器

权利要求书

1、一种电子发射源，其特征在于，是包括：

一基板；以及

一具有片状结构的类钻碳膜层，是沉积于该基板表面；

其中，该类钻碳膜层的片状结构是排列于该基板表面以形成一花瓣图案，且该片状结构的侧面高度是介于0.5μm至4.0μm之间。

2、如权利要求1项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该基板是为半导体材料、金属材料、绝缘材料或玻璃材料。

3、如权利要求1项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构是为弯曲片状结构、长条片状结构、或其组合。

4、如权利要求1项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.1μm之间。

5、如权利要求4项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.05μm之间。

6、如权利要求1项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的侧面高度是介于0.9μm至2.0μm之间。

7、一种电子发射源，其特征在于，是包括：

一基板；

一导电层，是形成于该基板表面；以及

一具有片状结构的类钻碳膜层，是沉积于该导电层表面；

其中，该类钻碳膜层的片状结构是排列于该导电层表面以形成一花瓣图案，且该片状结构的侧面高度是介于0.5μm至4.0μm之间。

8、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该基板是为半导体材料、金属材料或玻璃材料。

9、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该导电层是为氧化铟锡、氧化锌、氧化锌锡、或金属材料、或合金材料。

10、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构是为弯曲片状结构、长条片状结构、或其组合。

11、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.1μm之间。

12、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.05μm之间。

13、如权利要求7项所述的电子发射源，其特征在于，其中，该片状结构的侧面高度是介于0.9μm至2.0μm之间。

14、一种场发射显示器，其特征在于，是包括：

一含有一萤光粉层、与一阳极层的上基板；以及

一含有一电子发射层、与一阴极层的下基板，且该电子发射层是紧邻于该阴极层；

其中，该电子发射层是包括多数个微米级片状结构的类钻碳，该片状结构是具有一介于0.5μm至4.0μm间的侧面高度，且该等片状结构的类钻碳是于该基板表面排列成一花瓣图案。

15、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，其中，该片状结构是为弯曲片状结构、长条片状结构、或其组合。

16、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.1μm之间。

17、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，其中，该片状结构的厚度是介于0.005μm至0.05μm之间。

18、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，其中，该片状结构的侧面高度是介于0.9μm至2.0μm之间。

19、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，还包括一栅极层，是介于该阴极板与该阳极板之间，且该栅极层是为多数个栅极。

20、如权利要求14项所述的场发射显示器，其特征在于，其中，该上基板还包括一遮光层，且该遮光层是密接于该萤光粉层旁。