[发明专利]制备贴合于基片的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构的方法

权利要求书

1.一种制备贴合于基片的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构的方法，包括如下步骤：

1)制备稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料；

2)将所得稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料制备成纳米晶核，然后转移到带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片上，作为沉积衬底；

3)将蒸发源和沉积衬底分别放置于带有真空系统的两段控温管式电阻炉的两段中，抽真空到1-20Pa；所述蒸发源为稠环芳香族有机半导体化合物；

4)沿蒸发源到沉积衬底的方向通入保护气，保护气气流量为200-300sccm；

5)将蒸发段温度升温，控制其温度略高于蒸发源在炉内真空度下的升华温度；控制沉积段温度，使其温度低于蒸发源在炉内真空度下的凝华温度，保温后在沉积衬底上得到贴合于衬底的稠环芳香族有机半导体单晶纳米结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)所述将稠环芳香族有机半导体材料纳米晶核转移到带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片上是按照如下过程进行的：

a)将稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料分散于乙醇中，超声形成纳晶的乙醇悬浊液，静置；

b)将带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片浸入该悬浊液；

c)将硅片缓慢拉出悬浊液，干燥；或者，将硅片提出悬浊液后以氮气定向吹干，得到有序排列有籽晶材料的硅片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)所述将稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料转移到带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片上是按照如下过程进行的：将稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料以机械探针转移至带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片上，用探针将所述稠环芳香族有机半导体单晶微/纳米材料按照一定的方向挑断，使断口方向呈有序排列，得到有序排列有籽晶材料的硅片。

4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述带有二氧化硅绝缘层的低阻硅片在使用前还经过如下过程清洗：按照纯水，丙酮，双氧水、氨水与水的混合液，纯水以及乙醇的顺序进行清洗，以氮气吹干后置于等离子体清洗仪中，在50W功率下用氧等离子体处理5分钟。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述二氧化硅绝缘层的厚度为300nm。

6.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述稠环芳香族有机半导体化合物为酞菁化合物、卟啉化合物或具有平面分子构形的有机半导体化合物。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述稠环芳香族有机物半导体化合物为铜酞菁、十六氟代铜酞菁、红萤烯、二氯并四苯、四氟代并四苯或苝-TCNQ。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护气为高纯氩气。