[发明专利]一种含硅的LED荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件有效

专利信息
申请号: 200610088926.6 申请日: 2006-07-26
公开(公告)号: CN101113330A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 庄卫东;胡运生;方英;黄小卫;何华强 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;H01L33/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人: 程凤儒
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 荧光粉 及其 制造 方法 制成 发光 器件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种含硅的LED荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件。

背景技术

LED是一种高效率、低成本、绿色的固态发光器件,具有安全易用、发光响应快、性能稳定、体积小、抗冲击、耐震动、寿命长等优点,目前已在指示灯、信号灯、移动通讯设备等领域有广泛应用,并且有望取代白炽灯、荧光灯而进入照明领域。

就LED发光器件的工作原理而言,采用LED芯片与荧光粉的组合方式最为简单。通过在紫外、紫光或蓝光LED芯片上涂敷荧光粉,可以实现全彩显示,并且按照色匹配原理,容易实现白光发射。拿白光LED作为例子,就有三种制造方法:一是在蓝光LED芯片上涂敷能被蓝光激发的黄色荧光粉,蓝光和黄光混合形成白光;二是在蓝光LED芯片上涂敷能被蓝光激发而发射绿光和红光的荧光粉,红光、绿光、蓝光混合形成白光;再就是在紫光或紫外光LED芯片上涂敷三基色荧光粉而制成白光LED。此外,利用UV-LED激发绿色荧光粉可以得到绿光LED,这种荧光粉转换的LED的效率远远高于单一的InGaN绿光芯片的发光效率;同时,在UV-LED上涂敷黄色荧光粉就可以制得黄色LED;如此等等,各种颜色的LED均可以按照色匹配原理,采用现在比较成熟的一些紫外、紫光或蓝光LED芯片和荧光粉组合的方式来实现。

目前白光LED的产生方式主要是在InGaN蓝光芯片上涂敷黄色荧光粉(Re1-r,Smr)3(Al1-s,Gas)5O12:Ce(简称YAG:Ce,见美国专利US5998925)或(Tb1-x-y,Rex,Cey)3(Al,Ga)5O12(简称TAG:Ce,见美国专利US6669866)。YAG:Ce和TAG:Ce在蓝光的激发下均呈现出良好的宽谱发射,然而它们的发光效率尚有待提高;而且,它们的发射光谱只能在520nm-560nm间调整,这就无法满足低色温、高显色LED的照明需求。

美国专利US6429583中采用蓝光LED与发射主峰位于505nm的Ba2SiO4:Eu2+绿色荧光粉的组合方式来制灯,容易发现,这种组合方式由于缺乏红光部分,因而很难实现高显色的白光。

美国专利US6809347中提到了一类LED用Eu2+单掺杂的硅酸盐荧光粉(2-x-y)SrO·x(Bau,Cav)O·(1-a-b-c-d)SiO2·aP2O5·bAl2O3·cB2O3·dGeO2:yEu2+或(2-x-y)BaO·x(Sru,Cav)O·(1-a-b-c-d)SiO2·aP2O5·bAl2O3·cB2O3·dGeO2:yEu2+,它们在紫外或蓝光LED的激发下能发射出黄绿、黄色甚至橙色光,这样就可以通过改变荧光粉组成的各个变量来实现白光LED的低色温、高显色。

此外,美国专利(Pub.No.)US2006/0027781和US2006/0028122涉及了Eu2+掺杂、阴离子D补偿的A2SiO4:Eu,D荧光粉,其中A为Ca、Sr、Ba、Mg、Zn、Cd,D为卤素元素或P、S、N;它在280-490nm光的激发下随着A组成的变化而呈现出460-590nm的发射。其中D的引入不仅影响到荧光粉的发光强度,对发射主峰也有影响,特别当D为F时,效果最为明显。

因此,相对于YAG:Ce(TAG:Ce),Eu2+激活的硅酸盐荧光粉具有更宽的发射,也就是说,它的适用能力更强;但上述硅酸盐荧光粉均为单稀土离子掺杂,发光强度还有进一步提高的空间;同时,从应用角度来看,发光强度也有进一步提高的必要。

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