[发明专利]一种生长立方织构三氧化二钇膜层的方法

权利要求书

1、一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

(1)、将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；

(2)、清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10^-4Pa；将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10^-1Pa-8×10^-1Pa；以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射，所述的预溅射为非正式溅射，采取遮挡的方式，用遮挡物将衬底遮挡住，使预溅射的产物不能沉积到衬底上；

(3)、预溅射20分钟后，在预溅射结束后、开始正式溅射沉积前，撤掉遮挡物，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10^-3-8×10^-3Pa，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。

2、根据权利要求1所述的生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于：在所述的步骤(2)中，所述的溅射靶材和衬底的距离即靶基距为60-150mm。

3、根据权利要求1或2所述的生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于：在所述的步骤(2)、(3)中，所述的预溅射和正式溅射的溅射功率为100-350W。

4、根据权利要求1或2所述的生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于：在所述的步骤(2)的充氩气至腔体内的过程中，是采用管路直接将氩气通向溅射靶材的靶材面。

5、根据权利要求1或2所述的生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于：在所述的步骤(3)的通入水气至腔体内的过程中，是采用管路直接将水气通向衬底的沉积面。

6、根据权利要求1或2所述的生长立方织构氧化钇膜层的方法，其特征在于：所述的氩气为纯度≥99.999％的氩气。