[发明专利]一种照明用氮化镓基发光二极管器件无效
| 申请号： | 200610089071.9 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101118936A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 照明 氮化 发光二极管 器件 | ||
1.一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：
p型衬底(3)；
在p型衬底(3)上依次外延生长的p型GaN基化合物(5)、p型InGaN有源层(7)和n型GaN基化合物(4)；
在n型GaN基化合物(4)上制备的n型透明电极(12)；和
在p型衬底(3)的背面制备的p型电极(11)。
2.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，
所述p型衬底(3)为p型碳化硅SiC、p型砷化镓GaAs或p型硅Si三者之一；
所述p型电极(11)为反射型的p型电极，或为透明的p型电极。
3.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，
所述n型GaN基化合物(4)为n型GaN、n型AlGaN或n型InGaN三种化合物的任意一种，或者为n型GaN、n型AlGaN或n型InGaN三种化合物的任意组合，所述n型GaN基化合物(4)的禁带宽度大于p型InGaN有源层(7)的禁带宽度。
4.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，
所述p型GaN基化合物(5)为p型GaN、p型AlGaN或p型InGaN三种化合物的任意一种，或者为p型GaN、p型AlGaN或p型InGaN三种化合物的任意组合，所述p型GaN基化合物(5)的禁带宽度大于p型InGaN有源层(7)的禁带宽度。
5.根据权利要求1所述的照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，
所述p型InGaN有源层(7)发出的光子能量与其能带间隙相对应，即Eg＝hc/λ，其中，Eg为禁带宽度，h为普朗克常数，c为光速，λ为波长，该有源层(7)与n型GaN基化合物(4)接触形成pn异质结，所述p型InGaN有源层(7)的禁带宽度小于n型GaN基化合物(4)和p型GaN基化合物(5)的禁带宽度。
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