[发明专利]RF MEMS 开关的互联结构的实现方法无效

专利信息
申请号: 200610089304.5 申请日: 2006-06-16
公开(公告)号: CN101090169A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 李志宏;施文典 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01P1/12 分类号: H01P1/12
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: rf mems 开关 联结 实现 方法
【权利要求书】:

1、一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:利用一次多晶硅的生长,实现了RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分的同时制备,其中,驱动和接触部分为掺杂的多晶硅,驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。

2、如权利要求1所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:具体实现步骤包括:

1)在Si片衬底上,淀积绝缘层和牺牲层,并图形化牺牲层结构;

2)淀积多晶硅薄膜;

3)在多晶硅膜上覆盖掩蔽层,并图形化掩蔽层;

4)对多晶硅进行注入掺杂,掩蔽层下区域形成非掺杂多晶硅,没有掩蔽层覆盖的区域形成掺杂多晶硅;

5)去除掩蔽层,用退火激活掺杂杂质;

6)图形化多晶硅,形成RF MEMS开关的接触部分、互联结构和驱动。

3、如权利要求1或2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:注入掺杂的掺杂杂质采用磷、硼或砷。

4、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:牺牲层采用SiO2薄膜,生长方法采用LPCVD或PECVD。

5、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:掩蔽层选用光刻胶、SiO2薄膜、氮化硅薄膜或SiC薄膜。

6、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:图形化多晶硅采用ICP或RIE方法。

7、如权利要求1或2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:互联结构为直线型、蜿蜒型、网格型或弹簧型。

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