[发明专利]RF MEMS 开关的互联结构的实现方法无效
申请号: | 200610089304.5 | 申请日: | 2006-06-16 |
公开(公告)号: | CN101090169A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 李志宏;施文典 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01P1/12 | 分类号: | H01P1/12 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | rf mems 开关 联结 实现 方法 | ||
1、一种RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:利用一次多晶硅的生长,实现了RF MEMS开关的驱动、互联结构和接触部分的同时制备,其中,驱动和接触部分为掺杂的多晶硅,驱动和接触部分之间的互联结构为非掺杂多晶硅。
2、如权利要求1所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:具体实现步骤包括:
1)在Si片衬底上,淀积绝缘层和牺牲层,并图形化牺牲层结构;
2)淀积多晶硅薄膜;
3)在多晶硅膜上覆盖掩蔽层,并图形化掩蔽层;
4)对多晶硅进行注入掺杂,掩蔽层下区域形成非掺杂多晶硅,没有掩蔽层覆盖的区域形成掺杂多晶硅;
5)去除掩蔽层,用退火激活掺杂杂质;
6)图形化多晶硅,形成RF MEMS开关的接触部分、互联结构和驱动。
3、如权利要求1或2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:注入掺杂的掺杂杂质采用磷、硼或砷。
4、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:牺牲层采用SiO2薄膜,生长方法采用LPCVD或PECVD。
5、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:掩蔽层选用光刻胶、SiO2薄膜、氮化硅薄膜或SiC薄膜。
6、如权利要求2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:图形化多晶硅采用ICP或RIE方法。
7、如权利要求1或2所述的RF MEMS开关的互联结构的实现方法,其特征在于:互联结构为直线型、蜿蜒型、网格型或弹簧型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610089304.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生产液-固金属组合物的方法和装置
- 下一篇:散热模组