[发明专利]砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器及制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，该结构包括：

一衬底，该衬底为砷化镓衬底；

一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；

一下分布布拉格反射镜，该下布拉格反射镜制作在缓冲层上，是滤波器的下反射镜；

一空气腔，该空气腔制作在下布拉格反射镜上，用于可调谐；

一上分布布拉格反射镜，该上分布布拉格反射镜制作在空气腔上，是滤波器的上反射镜；

一p电极，该p电极制作在上分布布拉格反射镜的上面；

一n电极，该电极制作在n型砷化镓衬底的下面。

2.根据权利要求1所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，其中所述的下布拉格反射镜由3.5对组合材料组成，每一对组合材料包括砷化镓层和氧化铝层，该下布拉格反射镜的最上面一层为砷化镓层。

3.根据权利要求1所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，其中所述的上布拉格反射镜由3.5对组合材料组成，每一对组合材料包括砷化镓层和氧化铝层，该上布拉格反射镜的最上面一层为砷化镓层。

4.根据权利要求1所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，其中所述上布拉格反射镜厚度小于2微米，这样使调谐系数高，调谐电压低。

5.根据权利要求1所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，其中所述的上分布布拉格反射镜和下布拉格反射镜的总和是7对砷化镓层/氧化铝层。

6.根据权利要求1所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器，其特征在于，其中所述的衬底、缓冲层、下分布布拉格反射镜的材料通过掺杂全部做成n型半导体，下布拉格反射镜的材料通过掺杂全部做成p型半导体，制作空气腔所需的材料铝镓砷本身不掺杂，是i型，这样器件本身就构成一个pin结构。

7.一种砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)在砷化镓衬底上依次生长砷化镓缓冲层、制作下分布布拉格反射镜所需的材料、制作空气腔所需的材料和制作上分布布拉格反射镜所需的材料；

(2)通过光刻工艺形成一图形，图形上有保护胶；

(3)腐蚀，形成一个台面；

(4)对样片进行侧向氧化，一段时间后铝砷全部氧化成氧化铝，从而形成下分布布拉格反射镜和上分布布拉格反射镜；

(5)在台面两端的面制作p型电极；

(6)将砷化镓衬底减薄，抛光；

(7)在衬底的背面制作n型电极；

(8)采用选择腐蚀液，腐蚀出空气腔；

(9)干燥，形成砷化镓/氧化铝可调谐滤波器。

8.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，其中所述的下布拉格反射镜由3.5对组合材料组成，每一对组合材料包括砷化镓层和氧化铝层，该下布拉格反射镜的最上面一层为砷化镓层。

9.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，其中所述的上布拉格反射镜由3.5对组合材料组成，每一对组合材料包括砷化镓层和氧化铝层，该上布拉格反射镜的最上面一层为砷化镓层。

10.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，其中所述上布拉格反射镜厚度小于2微米，这样使调谐系数高，调谐电压低。

11.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，其中所述的上分布布拉格反射镜和下布拉格反射镜的总和是7对砷化镓层/氧化铝层。

12.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制造方法，其特征在于，其中所述的衬底、缓冲层、下分布布拉格反射镜的材料通过掺杂全部做成n型半导体，下布拉格反射镜的材料通过掺杂全部做成p型半导体，制作空气腔所需的材料铝镓砷本身不掺杂，是i型，这样器件本身就构成一个pin结构。

13.根据权利要求7所述的砷化镓/氧化铝型可调谐滤波器的制作方法，其特征在于，其中步骤(8)采用的腐蚀液为：盐酸∶水＝2∶1，具有选择腐蚀性，可以选择腐蚀铝镓砷而不腐蚀砷化镓，这样就制作出空气腔。