[发明专利]采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管无效

专利信息
申请号: 200610089445.7 申请日: 2006-06-28
公开(公告)号: CN101097994A 公开(公告)日: 2008-01-02
发明(设计)人: 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;C09K11/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 采用 有机 电子 受体 促进 空穴 有效 注入 发光二极管
【权利要求书】:

1、一种采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,由以下部分组成:

一衬底;

一正极,该正极沉积在衬底上;

一有机电子受体层,该有机电子受体层沉积在正极上,用于向正极有效的传递电子;

一金属薄层,该金属薄层沉积在有机电子受体层上,用于产生电子和空穴;

一有机空穴注入层,该有机空穴注入层沉积在金属薄层上,用于接受金属薄层中产生的空穴;

一有机空穴传输层,该有机空穴传输层沉积在有机空穴注入层上,用于传输空穴;

一有机发光层,该有机发光层沉积在有机空穴传输层上的,用于发出可见光;

一有机电子传输层,该有机电子传输层沉积在有机发光层上,用于传输电子;

一阴极,该阴极沉积在有机电子传输层上。

2、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机电子受体层可以为以下任一材料:

C60、二苯并咪唑代-3,4,9,10-四羧基苝、苝四甲酸二酐。

3、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中金属薄层可以为以下任一材料:

氧化铟锡、银、金。

4、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机空穴注入层可以为以下任一材料:

酞菁锌、酞菁铜。

5、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机空穴传输层可以为以下任一材料:

N,N’-二苯基-N,N’-二-1,1’-二苯基-4,4’-二胺、N,N’-双-(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯基-4,4’-二胺、4,4’-双-[N,N’-(3-甲苯基)氨基]-3,3’二甲基联苯。

6、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机发光层为8-羟基喹啉铝。

7、根据权利要求6所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机发光层8-羟基喹啉铝用以下任一材料掺杂:

N,N’-二甲基喹吖啶酮、3-(2’-苯并噻唑基)-7-二乙基氨基香豆素、红荧烯、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃。

8、根据权利要求1所述的采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管,其特征在于,其中有机电子传输层可以为以下任一材料:

双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-联苯氧基铝、8-羟基喹啉铝。

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