[发明专利]低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法

权利要求书

1、一种低成本高性能有机场效应晶体管，为下电极结构，包括衬底、栅极电极、绝缘层、源漏电极和有机半导体；其特征在于，源漏电极，是由具有低功函的材料构成，包括银或铜，在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层。

2、一种如权利要求1所述的有机场效应晶体管的制备方法，先按常规在衬底上顺序沉积栅极电极和绝缘层，再制作源漏电极；其特征在于，后续包括以下步骤：

第一步，源漏电极的沉积：

将沉积有栅极电极和绝缘层的衬底，用去离子水、乙醇、丙酮超声清洗后烘箱烘干，然后经十八烷基氯硅烷(OTS)修饰，之后用正庚烷、乙醇、丙酮超声清洗，然后制备至少一层金属银或铜，构成源漏电极；

第二步，源漏电极的修饰：

将7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)的乙腈溶液滴于沉积好电极的绝缘层上，1～5秒后甩干，然后经乙腈冲洗后，得到修饰后具有有机电荷转移复合盐层的源漏电极；

第三步，有机半导体材料的沉积：

将制备好下电极结构的晶体管上，采用有机物成膜方法得到厚度为10～150纳米的有机层；

第四步，器件测试：

将制备好的下电极结构有机场效应晶体管，在大气环境下室温测试后，得成品。

3、如权利要求2所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一步中，制备至少一层金属，是用真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积或印刷各种沉积方法中的一种，制备至少一层金属银或铜。

4、如权利要求2或3所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述金属银或铜层，其厚度为30～300纳米。

5、如权利要求2所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述烘箱烘干，是于393K温度下烘干。

6、如权利要求2所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)的乙腈溶液，其浓度为0.1mM～20mM。

7、如权利要求2所述的有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机层，是由有机小分子材料、高分子聚合物材料或它们的混合物构成；成膜方法，是用真空蒸镀、甩膜、滴膜、印刷各种方法中的一种。