[发明专利]内埋式晶片封装结构及其制程

权利要求书

1.一种内埋式晶片封装制程，其特征在于其包括：

提供一第一基板，该第一基板上具有一第一图案化线路层，该第一图案化线路层具有至少一第一焊垫，将一第一晶片配置于该第一焊垫上且与该第一图案化线路层电性连接；

提供一第二基板，该第二基板上具有一第二图案化线路层，该第二图案化线路层具有至少一第二焊垫，将一第二晶片配置于该第二焊垫上且与该第二图案化线路层电性连接；

将一介电材料覆盖于该第一图案化线路层与该第一晶片上；以及

进行一压合步骤，将该第二基板覆盖于该介电材料上，且该第二基板上的该第二图案化线路层以及该第二晶片内埋于该介电材料中。

2.根据权利要求1的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中该第一晶片配置于该第一图案化线路层以及该第二晶片配置于该第二图案化线路层的方法为覆晶接合。

3.根据权利要求1的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中将该介电材料包括一胶片，该胶片由半固化树脂材料胶化而成。

4.根据权利要求1的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中进行压合步骤之后，更包括一固化步骤，以固化该介电材料。

5.根据权利要求4的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中在进行固化步骤之后，更包括移除该第一基板以及该第二基板。

6.根据权利要求5的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中在移除该第一基板以及该第二基板之后，更包括于该介电材料中形成至少一导电贯孔，使该第一图案化线路层电性连接该第二图案化线路层。

7.根据权利要求6的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中该第一图案化线路层对应于该导电贯孔的一端配置一第一接点，而该第二图案化线路层对应于该导电贯孔的另一端配置一第二接点，且该第一接点与该第二接点藉由该导电贯孔相互导通。

8.根据权利要求6的内埋式晶片封装制程，其特征在于其中在移除该第一基板以及该第二基板之后，更包括：

形成一第一介电层于该第一图案化线路层上；

形成至少一第一导电孔于该第一介电层中，并电性连接该第一焊垫；

形成一第二介电层于该第二图案化线路层上；以及

形成至少一第二导电孔于该第二介电层中，并电性连接该第二焊垫。

9.一种内埋式晶片封装结构，其特征在于其包括：

一介电材料层；

一第一图案化线路层，内埋于该介电材料层的一边内，包括至少一第一焊垫以及至少一第一接点；

一第一晶片，内埋于该介电材料层中，并与该第一焊垫电性连接；

一第二图案化线路层，内埋于该介电材料层的另一边内，包括至少一第二焊垫以及至少一第二接点；以及

一第二晶片，内埋于该介电材料层中，并与该第二焊垫电性连接，其中该介电材料层中具有至少一导电贯孔，而该导电贯孔分别连接该第一接点与该第二接点。

10.根据权利要求9的内埋式晶片封装结构，其特征在于其中该第一晶片与该第一图案化线路层以及该第二晶片与该第二图案化线路层间电性连接的型态为覆晶接合。

11.根据权利要求9的内埋式晶片封装结构，其特征在于其中该介电材料层的材质包括玻璃环氧基树脂、双顺丁烯二酸酰亚胺或环氧树脂。