[发明专利]接触窗开口的形成方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种形成接触窗开口的方法。

背景技术

图1A至图1C为已知在薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)中形成接触窗开口的流程剖面示意图。请参照图1A，薄膜晶体管100主要是由栅极102、栅绝缘层104、通道层106与源极/漏极108所构成，且源极/漏极上108覆盖有一层保护层110，以避免源极/漏极108在后续制程中受到损害。而且，源极/漏极108是透过保护层110中的接触窗开口(未绘示于图1A)而与其他导体层电性连接，以便于接收外部电路所提供的讯号。

承上所述，已知形成接触窗开口的方法首先在保护层110上形成图案化光阻层112，以暴露出部分的保护层110。接着如图1B所示，以高含氧量的等离子体进行反应离子(如图1B标示的113)轰击蚀刻(reaction ion etching，RIE)制程，以移除部分的图案化光阻层112及其所对应的部分保护层110。最后，如图1C所示，将光阻层112从保护层110上移除，而在保护层110中形成锥状的接触窗开口114，其中接触窗开口114即是用以暴露出源极/漏极108。

承上述，目前多以钼金属层108a/铝金属层108b/钼金属层108c的金属复合层作为源极/漏极108，但钼金属层108a却容易在保护层110的蚀刻制程中被反应离子所蚀刻，而曝露出铝金属层108b。由于裸露于空气中的铝金属层108b容易被氧化，因此会在铝金属层108b的表面产生一层氧化铝薄膜，而此氧化铝薄膜将使得后续填入接触窗开口114内之导体层与源极/漏极108之间的阻值过高，导致在此导体层与源极/漏极108间的讯号传输品质下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种接触窗开口的形成方法，以解决已知蚀刻制程对接触窗开口所暴露出的导电层过度蚀刻，因而导致其与填入接触窗开口内的导电层间阻值过高的问题。

为达上述或是其他目的，本发明提出一种接触窗开口的形成方法，此方法是先提供一基底，且此基底上至少具有一介电层。接着，在介电层上形成光阻层，且此光阻层具有一第一开口。然后，以此光阻层为掩模进行等离子体蚀刻(plasmaetching，PE)制程，以于介电层中形成一第二开口。其中，第一开口的底部孔径小于第二开口的顶部孔径。之后，将光阻层从介电层上移除。

在本发明的一实施例中，上述基底上还形成有一导电图案，且在进行等离子体蚀刻制程之前，介电层覆盖此导电图案。形成此导电图案的方法例如是依序在基底上形成一金属层与一抗氧化导电层。而且，上述的等离子体蚀刻制程中，还包括移除第一开口所暴露出的部分抗氧化导电层。

在本发明的一实施例中，上述的抗氧化导电层的材质例如是钼(Mo)、铌化钼(MoNb)、氮化钼(MoN)或钛(Ti)。

在本发明的一实施例中，上述的金属层的材质例如是铝(Al)或钕化铝(AlNd)。

在本发明的一实施例中，上述的等离子体蚀刻制程的工作压力例如是大于150毫托(mT)。

在本发明的一实施例中，在基底上形成上述导电图案之前，可以先在基底上形成一栅极，接着再于基底上形成栅绝缘层覆盖此栅极。然后，在栅极上方的栅绝缘层上形成一通道层。后续所形成的导电图案即是位于此通道层上。

在本发明的一实施例中，上述通道层的材质包括硅，且在形成上述导电图案之前，还包括形成一导电垫层于此通道层上，而后续形成的导电图案位于此导电垫层上。其中，此导电垫层的材质例如是钼、铌化钼、氮化钼或钛。

本发明可使接触窗开口所暴露出的导电图案至少有一部份不会被空气中的氧分子氧化，以避免此导电图案与填入接触窗开口的导电层间的阻值过高。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1C为已知在薄膜晶体管中形成接触窗开口的流程剖面示意图。

图2A至图2C为本发明的一实施例中接触窗开口的形成流程剖面示意图。

图3是图2C的俯视示意图。

图4A至图4C为本发明的一实施例在薄膜晶体管中形成接触窗开口的制造流程剖面图。

图5为本发明的一实施例中像素电极填入图4C的接触窗开口的剖面示意图。

具体实施方式