[发明专利]具铜导线结构的薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包含：

一栅极与一栅极线，形成在一基板上，而每一栅极与栅极线皆包含至少一铜合金层及一铜金属层，且该栅极为该栅极线的延伸；

一栅极绝缘层，形成在该基板上，且覆盖在该栅极与该栅极线上方；

一有源层，形成在该栅极绝缘层上，且覆盖在部分该栅极上；

一欧姆接触层，形成在该有源层上；

一数据线，形成在该栅极绝缘层上，且与该栅极线相交，以定义出一像素范围；

一源极与一漏极，皆形成在该欧姆接触层上，且该源极是由该数据线延伸而出，以及该漏极配置于该源极相隔一间距之处；

一保护层，形成在该栅极绝缘层上，且覆盖至该数据线、该源极及该漏极，其中该保护层包含一漏极接触口；以及

一像素电极，形成在该像素范围内的该保护层上，且通过该漏极接触口来连结于该漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该铜合金层的铜合金元素为镁、铬、钨、钼、铌、氮、银、钌、碳及其混合合金，且该铜合金层除了其本身的金属元素外，其余的金属元素成分含量为0.2至10的百分比。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该漏极皆为具有另一铜合金层及另一铜金属层的双层金属结构，且与该栅极及该栅极线有同样的厚度与成分。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该铜合金层的厚度为10到2000埃，该铜金属层的厚度为1000到4000埃。

5.一种薄膜晶体管的栅极，其特征在于，包含：

一铜合金层，形成在一基板上；以及

一铜金属层，形成在该铜合金层上。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的栅极，其特征在于，该铜合金层的厚度为10到2000埃，该铜金属层的厚度为1000到4000埃。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管的栅极，其特征在于，该铜合金层的铜合金元素为镁、铬、钨、钼、铌、氮、钌、银、碳及其混合合金，且该铜合金层除了其本身的金属元素外，其余的金属元素成分含量为0.2至10的百分比。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管的栅极，其特征在于，该栅极更进一步包含另一铜合金层，制作在该铜金属层上。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的栅极，其特征在于，该另一铜合金层的铜合金元素、比例及厚度皆与形成在该基板上的铜合金层相同。

10.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包含：

依序形成至少一铜合金层及一铜金属层于一基板上，以产生一图形化的栅极与栅极线，其中，该栅极是由该栅极线延伸而来；

依序于该基板、该栅极与该栅极线上，由下而上堆栈形成图案化的一栅极绝缘层、一有源层及一欧姆接触层；

形成一数据线、一源极及一漏极，其中该数据线设置于该栅极绝缘层上，且与该栅极线相交，以定义出一像素范围，该源极是由该数据线延伸至该欧姆接触层，该漏极则单独设置于在该欧姆接触层上离该源极一间距之处；

形成一保护层于该栅极绝缘层上，并覆盖过该数据线、该源极及该漏极，其中，该保护层包含一漏极接触口，使该漏极暴露出一部分；以及

形成一像素电极于该保护层上，其中该像素电极通过该漏极接触口来接触该漏极。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该栅极与该栅极线更进一步包含：

依序由下至上形成该铜合金层及该铜金属层于该基板上；

将该铜合金层与该铜金属层图形化；以及

将该基板、该铜合金层与该铜金属层进行热处理，以形成该图形化的栅极与栅极线。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该栅极与该栅极线更进一步包含：

依序由下至上形成该铜合金层及该铜金属层于该基板上；

将该铜合金层与该铜金属层作热处理；以及

将该基板、该铜合金层与该铜金属层图形化，以形成该图形化的栅极与栅极线。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，形成该栅极与该栅极线所需的热处理的温度为100至500℃。